Улин Владимир Петрович (RU)
Изобретатель Улин Владимир Петрович (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения газопроницаемой мембраны и газопроницаемая мембрана
Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах. Способ получения газопроницаемой мембраны включает двустороннее электрохимическое травление монокристаллической пластины из соединения АIIIBV n-типа проводимости или из полупроводника АIV с шириной запрещенной зоны Е"...
2283691
Способ изготовления газопроницаемой мембраны и газопроницаемая мембрана
Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах. Способ изготовления газопроницаемой мембраны включает нанесение вакуумным напылением на поверхность монокристаллической кремниевой пластины по замкнутому контуру металла, химически устойчивого в концентрированных растворах фтористо-в...
2335334
Способ изготовления газопроницаемой мембраны
Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в портативных топливных элементах. Способ изготовления газопроницаемой мембраны включает фрагментарное нанесение на обе поверхности монокристаллической кремниевой пластины металлических покрытий, химически инертных в растворах фтористоводородной кислоты с окислител...
2365403
Способ получения нитридной пленки на поверхности gasb
Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводникового соединения GaSb и приборов на его основе. Сущность изобретения: способ получения нитридной пленки на поверхности GaSb осуществляют путем удаления окислов с поверхности GaSb и последующей ее нитридизации погружением поверхности G...
2368033
Способ получения нитридной пленки на поверхности гетероструктуры на основе gasb
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности антимонида галлия. Сущность изобретения: для осуществления способа получения нитридной пленки получают гетероструктуру на основе GaSb эпитаксиальным выращиванием на подложке n-типа GaSb слоя твердого раствора GalnAsSb n-типа, согласованного по параметру р...
2370854
Способ модификации поверхности пористого кремния
Изобретение относится к области химической модификации поверхности пористого кремния и, в частности, может найти применение для создания биосовместимого и способного к полной биодеградации носителя медицинских препаратов, обеспечивающего их целевую доставку и пролонгированное действие в организме. Способ модификации поверхности пористого кремния включает двухстадийную обработку поверхности порис...
2561416