PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Цыплакова Людмила Николаевна (RU)

Изобретатель Цыплакова Людмила Николаевна (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора

Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора

Изобретение относится к способам изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов. Согласно изобретению способ получения катодной обкладки заключается в нанесении многослойного покрытия из двуокиси марганца на оксидированные объемно-пористые аноды, которое предусматривает пропитку анодов в 20%-ном водном растворе азотнокислого марганца, 50- и 62%-ных водных растворах смеси азотнокислого и уксу...

2284070

Способ изготовления ниобиевого объемно-пористого анода повышенного рабочего напряжения

Способ изготовления ниобиевого объемно-пористого анода повышенного рабочего напряжения

Изобретение относится к производству ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов, в частности повышенного рабочего напряжения. Согласно изобретению способ изготовления ниобиевого объемно-пористого анода заключается в прессовании анодных таблеток из подготовленного гидрированного ниобиевого порошка, спекании ниобиевых анодных таблеток, формовке спеченных анодов, подформовке анодов в горячем э...

2287869

Способ получения переходного катодного слоя в оксидно-полупроводниковом конденсаторе

Способ получения переходного катодного слоя в оксидно-полупроводниковом конденсаторе

Изобретение относится к производству оксидно-полупроводниковых конденсаторов с объемно-пористым анодом из вентильных металлов. Согласно изобретению способ заключается в нанесении углеродного электропроводного покрытия на конденсаторный элемент между слоем твердого полупроводникового электролита и слоем металлического покрытия, в качестве углеродного электропроводного покрытия применяют лакосажевую...

2290709

Способ получения стеклотанталового изолятора для объемно-пористого конденсатора

Способ получения стеклотанталового изолятора для объемно-пористого конденсатора

Изобретение относится к производству изделий электронной техники, конкретно - к производству конденсаторов. В предлагаемом способе, заключающемся в отжиге танталовой арматуры, сборке стеклотаблетки и танталовой арматуры с образованием стеклотанталового изолятора, спекании и формировании диэлектрического оксидного слоя на тантале стеклотанталового изолятора, спекание проводят в вакууме с напуском и...

2300155

Способ получения катодной обкладки конденсатора и оксидно-полупроводниковый конденсатор

Способ получения катодной обкладки конденсатора и оксидно-полупроводниковый конденсатор

Изобретение относится к производству оксидно-полупроводниковых конденсаторов и способам их изготовления. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и частотных характеристик. Согласно изобретению способ получения катодной обкладки конденсатора включает в себя нанесение на секции многослойного покрытия из диоксида марганца, которое при формировании каждого слоя предусматр...

2463679


Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора

Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора

Изобретение относится к области электротехники, а именно к технологии нанесения покрытия из диоксида марганца на оксидированные объемно-пористые аноды вентильного металла, например тантала, ниобия. Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора заключается в нанесении многослойного катодного покрытия из диоксида марганца на оксидированный объемно-пористый анод из вент...

2516525