Шленов Ю.В.

 Использование: при научных исследованиях и технологическом контроле образцов тонких магнитных пленок, например, гранатовых эпитаксиальных структур. Сущность изобретения: способ включает воздействие на образец постоянным магнитным полем смещения, переменным модулирующим полем и фотоэлектрическую регистрацию переменной компоненты намагниченности, при этом переменное магнитное поле создают с...

 Использование: в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также в других областях техники, связанных с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы. Сущность изобретения: процесс диффузии примеси в полупроводник проводят в две стадии, при этом процесс осаждения проводится стандартным методом в электротермических печах сопротивления, а процесс...