Способ определения параметров тонких магнитных пленок

Способ определения параметров тонких магнитных пленок

Реферат

 

Использование: при научных исследованиях и технологическом контроле образцов тонких магнитных пленок, например, гранатовых эпитаксиальных структур. Сущность изобретения: способ включает воздействие на образец постоянным магнитным полем смещения, переменным модулирующим полем и фотоэлектрическую регистрацию переменной компоненты намагниченности, при этом переменное магнитное поле создают с помощью двух синхронных противофазных источников с градиентом, перпендикулярном плоскости образца, и устанавливают образец в положение, при котором смена знака фазы результирующего поля модуляции происходит в заданном слое образца. 1 ил.

Изобретение относится к способам измерений параметров тонких магнитных пленок (ТМП) и может найти применение при научных исследованиях и технологическом контроле образцов ТМП, например, гранатовых эпитаксиальных структур.

Способ поясняется чертежом, на котором представлена функциональная схема устройства для проведения измерений.

Испытуемый образец 1 размещен в соленоиде 2, создающем постоянное поле смещения. Соленоид 2 подключен к источнику 3 регулируемого постоянного тока. Градиентное переменное модулирующее поле создается с помощью двух колец Гельмгольца 4, состоящих из двух одинаковых обмоток, включенных встречно последовательно друг другу и подключенных к генератору 5 переменного тока. С помощью микрометрического устройства (не показано) положение образца по отношению к кольцам Гельмгольца можно регулировать в направлениях, показанных стрелкой. Система фотоэлектрической регистрации переменной компоненты намагниченности образца включает в себя источник 6 света, поляризатор 7, анализатор 8 и фотоприемник 9, подключенный к входу усилителя 10 переменного тока с регистрирующим прибором.

Способ реализуется следующим образом.

С помощью соленоида 2 создают постоянное магнитное поле смещения, величина которого соответствует тому участку кривой намагничивания образца, для которого производится определение дифференциальной магнитной восприимчивости. С помощью устройства образец 1 помещают в такое положение, при котором один из слоев пленки находится в плоскости, в которой происходит смена знака фазы результирующего переменного модулирующего поля, т.е. в плоскости с нулевым полем модуляции. На катушки Гельмгольца 4 подают ток от генератора 5 и устанавливают такое его значение, которое соответствует заданной величине амплитуды поля модуляции для второго слоя пленки, т.е. для слоя, параметры которого подлежат определению. На образец направляют свет от источника 6 света и с помощью регистрирующего прибора 11 измеряют сигнал, пропорциональный переменной компоненте намагниченности заданного слоя.

Описанный процесс измерения может быть повторен для других фиксированных значений поля смещения, в результате после обработки результатов измерений по известным стандартным соотношениям получают, например, зависимость дифференциальной магнитной восприимчивости от величины внешнего постоянного магнитного поля.

Формула изобретения

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК, включающий воздействие на образец постоянным магнитным полем смещения, переменным модулирующим полем и фотоэлектрическую регистрацию переменной компоненты намагниченности, отличающийся тем, что переменное магнитное поле создают с помощью двух синхронных противофазных источников с градиентом, перпендикулярным плоскости образца, и перемещением их в осевом направлении относительно образца устанавливают его в положение, при котором смена знака фазы результирующего поля модуляции происходит в заданном слое образца.

РИСУНКИ

Рисунок 1