Козин С.А.

 (57) ТЕКСТ РЕФЕРАТА ОТСУТСТВУЕТ Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых тензочувствительных датчиков физических величин повышенной точности. При изготовлении полупроводниковых тензочувствительных элементов с диффузионными тензорезисторами, соединенными в мостовую схему Уитстона, повышенные требования предъявляются к внутри...

 (19)SU(11)1228720(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов из кремния на основе рель...

 Способ изготовления датчиков давления, включающий формирование профилированной области кремниевого чувствительного элемента с тензорезисторами, имеющими контакт с внешними выводами через зоны кремния с повышенной проводимостью, настройку и присоединение электростатическим методом к чувствительному элементу стеклянной крышки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов датчика и уп...

 Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить стойкость устр-ва к агрессивным средам, а также повысить его надежность при эксплуатации. Полупроводниковый кристалл 1 соединен с кольцом 2 из стекла посредством слоя 6 аморфного материала толщиной 0,5 - 5 мкм, нанесенного на изоляционный слой 5. Окна 8 обеспечивают электрический контакт кристалла 1 со слоем 6. При воздейс...

 Изобретение относится к измерительной технике, в частности, к интегральным преобразователям, предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением давления. Целью изобретения является повышение точности измерения при воздействии нестационарной температуры измеряемой среды и повышение чувствительнсоти. При воздействии на мембрану 2 давления, тензоре...

 Способ изготовления магнитодиодов, включающий формирование на лицевой стороне высокоомной полупроводниковой подложки первого типа проводимости инжекционных областей магнитодиодов второго типа проводимости, формирование приконтактных областей первого типа проводимости с повышенной концентрацией примеси и подготовку параметров магнитодиодов по чувствительности путем механической шлифовки об...

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных преобразователей механических величин, в частности ускорения. Целью изобретения является повышение чувствительности преобразователя и увеличение выхода годных. Способ изготовления преобразователя включает изготовление верхних и нижних плат из стекла с металлизированными обкладками и це...

 Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий формирование на планарной стороне кремниевой пластины слоя окисла, создание диффузионных областей, металлизации и контактных площадок активного элемента прибора, нанесение двухслойного металлического покрытия на поверхность пластины, формирование фоторезистивной маски с окнами, соответствующими выводам прибора от контактных площад...

 Изобретение относится к измерительной технике, а именно к датчикам давления и способам его изготовления. Целью изобретения является уменьшение габаритов и повышение технологичности. Датчик давления содержит полупроводниковый кристалл 1 с мембраной 8 и диффузионными тензорезисторами 3. На периферии кристалла 1 расположены контактные площадки 5 и 6, соединенные коммутационными участками 4 с...

 Использование: изобретение относится к измерительной технике, в частности к полупроводниковым датчикам, и может быть использовано при измерении давления различных сред. Цель изобретения - повышение точности измерения. Сущность изобретения состоит в том, что преобразователь, содержащий стеклянное кольцо-держатель, профилированный кристалл с мембраной, тензорезисторы, контактные шины, конта...

  Использование: в измерительной технике при разработке и изготовлении полупроводниковых преобразователей малых давлений. Цель: повышение чувствительности преобразователя и технологичности способа изготовления. Сущность изобретения: на утоньшенных участках мембраны из высоколегированного бором кремния с концентрацией примеси от 51019cм-3 толщиной 2 - 5 мкм (2) закреплены балки (5), на кото...

 Использование: в измерительной технике. Сущность изобретения: на кремниевой пластине создают пленку термического окисла и фотолитографией формируют в пленке окна под тензорезисторы. Проводят полное легирование в окна и разгонку легирующей примеси в окислительной атмосфере, создавая при этом пленку из SiО2 и под тензорезисторами. На противоположной тензорезисторам стороне пластине в пленке...

 Использование: для малогабаритных полупроводниковых высокочувствительных преобразователей деформации. Преобразователь деформаций, содержащий воспринимающий механическое воздействие кремниевый кристалл с интегральными тензорезисторами, имеющими металлизированные контактные площадки для присоединения внешних выводов, снабжен металлическими шинами толщиной 0,01...0,05 мм и рамкой из кремния...

 Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, например датчиков механических параметров. Сущность изобретения: при формировании фотолитографического рисунка в пленке двуокиси кремния на рельефной поверхности кремниевой пластины наносят позитивный фоторезист, экспонируют через фотошаблон, проявляют и термообрабатывают фоторезист, перед нане...

 Использование: в измерительной технике, при разработке и изготовлении малогабаритного полупроводникового емкостного акселерометра. Сущность изобретения: в емкостном акселерометре, содержащем выполненные из кремния и соединенные между собой через пленку диэлектрика неподвижную плату и рамку, с закрепленной на ней на гибких перемычках подвижной платой, установленной с зазором относительно н...

 Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при разработке малогабаритных полупроводниковых высокочувствительных преобразователей деформации и температур. Интегральный преобразователь деформации и температуры содержит кремниевый кристалл с тензорезисторами и терморезистором. Терморезистор размещен в плоскости тензорезисторов над отверстием, сформированн...

 Изобретение относится к теплотехнике, в частности к автономным индивидуальным системам электрического отопления. Автономная система отопления содержит один или несколько локальных участков (1) по числу отапливаемых помещений с установленными в них жидкостными электронагревательными приборами, а также блок (9) управления системой. Новым в системе является то, что в качестве электронагреват...

 Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых высокочувствительных преобразователей деформации. Предложен преобразователь деформации, содержащий пленочный тензорезистор с положительным температурным коэффициентом сопротивления, соединенный с гибкой диэлектрической основной, тензорезистор выпол...

 Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении малогабаритных микромеханических датчиков: акселерометров, гироскопов и др. Технический результат изобретения - повышение чувствительности, упрощение сборки узла чувствительного элемента совместно с его герметизацией и обеспечение контроля герметичности узла при сборке и эксплуатации. Сущность...