Ратникова Александра Константиновна (RU)

Изобретения могут быть использованы для монтажа элементов электронной техники. Техническим результатом изобретения является обеспечение высоких электрофизических параметров путем исключения деградации свойств пластины алмаза, при сохранении высокой адгезии металла к алмазу. Сущность изобретения: в металлизированной пластине алмаза, содержащей промежуточный слой между пластиной алмаза и металлизаци...

Изобретение относится к измерительной технике. В способе, заключающемся в измерении разницы температур, однонаправленный композиционный и эталонный образцы выполнены одновременно в виде монолитного твердого материала матрицы. Эталонным образцом служит часть твердого материала матрицы, ограниченная парой термопар, а соединениями между элементами служит часть, ограниченная самими соосно расположенны...

Изобретение относится к технологии получения изделий из поликристаллического алмаза, получаемого из смеси метана и водорода в плазме разряда. Проводят подготовку подложки прорезанием на ней канавок с образованием площадки, соответствующей конфигурации готового изделия. Канавки выполняют шириной, составляющей удвоенную толщину пленки готового изделия, и глубиной, превышающей ширину. Выращивают на...

Изобретение относится к способам обработки поверхности деталей из композиционных материалов типа «алмаз - карбид кремния - кремний» и может быть использовано, в частности, при изготовлении инструмента и конструкционных деталей для машиностроения. Способ обработки характеризуется тем, что подвергаемую обработке поверхность детали из композиционного материала совмещают с аналогичной по форме поверх...

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: мощный полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковый кристалл, на одной стороне которого выполнен, по меньшей мере, один мощный схемный элемент, а противоположной стороной полупроводниковый кристалл расположен соосно на металлизированном, по меньшей мере, с двух противоположных сторон теплоотводящем основании, выполненном...

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для монтажа и одновременно для отвода тепла от активных элементов как отдельных изделий электронной техники, так и радиоэлектронных устройств различного назначения. Сущность изобретения: металлизированная пластина алмаза для изделий электронной техники содержит, по меньшей мере, на одной из поверхностей промежуточный слой между...

Изобретение относится к технологии химического осаждения из газовой фазы алмазных пленок и может быть использовано, например, для получения алмазных подложек, в которых монокристаллический и поликристаллический алмаз образует единую пластину, используемую в технологии создания электронных приборов на алмазе или применяемую в рентгеновских монохроматорах, где необходимо осуществить теплоотвод от...

Изобретение относится к области получения структур, используемых, например, для изготовления полевых транзисторов и элементов памяти, необходимых для применения в микроэлектронике, системотехнике. Предложен способ получения пористых слоев оксида алюминия на изолирующих подложках. Способ заключается в том, что анодное окисление тонких слоев алюминия в водном растворе кислоты выполняют в два этапа...

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик гибридных интегральных схем СВЧ и в том числе мощных путем повышения эффективности отвода тепла. Достигается тем, что в гибридно...