Терентьев Сергей Александрович (RU)

Изобретение относится к технологическим процессам, а именно к устройствам для осуществления смешивания различных сред, в частности к вращающимся в неподвижных резервуарах рабочим органам смесителей лакокрасочных смесей. Мешалка содержит стержень и закрепленный на одном его конце в опорах рабочий орган, образованный изогнутыми лопастями. Рабочий орган состоит из двух частей, лопасти каждой части об...

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для создания автоматических регуляторов возбуждения мощных синхронных двигателей. Техническим результатом является повышение эффективности подавления качания ротора при изменении нагрузки и напряжения сети и статической устойчивости двигателя во всем диапазоне изменения нагрузки. Регулятор возбуждения для синхронного двигател...

Изобретение относится к технике контроля материалов и изделий и может быть использовано при наноиндентировании, или в сканирующем зондовом микроскопе, для измерения электрических свойств поверхности материала с нанометровым разрешением. Зондовое устройство для измерения электрических параметров материалов содержит основание и электропроводящий зонд с заостренной контактирующей зоной, выполненный и...

Изобретение относится к области систем предупреждения об опасности, в частности к устройствам пожарной сигнализации, и предназначено для обнаружения очага возгорания в газодисперсных средах. Техническим результатом изобретения является возможность определения двумерных координат очага возгорания при высоких быстродействии и помехозащищенности, что позволяет повысить эффективность системы пожаротуш...

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов алмаза и может быть использовано для получения монокристаллов, предназначенных для изготовления наковален алмазных камер высокого давления. Способ выращивания монокристаллов алмаза в области его термодинамической стабильности осуществляют на затравочном кристалле, который отделяют от источника углерода металлом-растворителем, в качестве ко...

Изобретение относится к устройствам для создания высокого давления и температуры и может быть использовано для синтеза сверхтвердых материалов, таких как алмаз и кубический нитрид бора, а также для термобарической обработки различных материалов. Сущность изобретения: устройство высокого давления и температуры содержит две соосно установленные матрицы с центральными углублениями в виде сферической...

Изобретение относится к строительству, а именно к устройствам для тепловой обработки возводимых в условиях построечной площадки конструкций из железобетона с использованием автоматического управления тепловыми процессами. В устройстве для автоматического регулирования температурного режима при тепловой обработке монолитных железобетонных конструкций, включающем опалубку, термодатчики, нагреватели,...

Изобретение может быть использовано для синтеза сверхтвердых материалов, таких как алмаз и кубический нитрид бора, а также для термобарической обработки различных материалов. Устройство высокого давления и температуры содержит две соосно установленные составные матрицы, состоящие из опорной 1 и рабочей 2 частей со стальной поддержкой 4, отделенных друг от друга прокладкой 3 из диэлектрического мат...

Изобретение относится к электронным приборам на основе поверхностных акустических волн. Технический результат: повышение рабочей частоты и уменьшение потерь сигнала. Сущность: устройство состоит из подложки, слоя пьезоэлектрика и двух групп гребенчатых встречно-штыревых преобразователей. Подложка выполнена из монокристаллического алмаза. Слой пьезоэлектрика расположен непосредственно на подложке....

Изобретение может быть использовано в оптоэлектронике, автоматике, микросистемной технике и других областях. Светоизлучающий диод (СИД) содержит подложку из монокристаллического диэлектрического алмаза с расположенным на ее поверхности слоем монокристаллического алмаза р-типа проводимости, при этом в слое алмаза р-типа проводимости может быть либо сформирован прямоугольный элемент, содержащий две...

Полевой датчик Холла (ПДХ) относится к области электронных датчиков магнитного поля и может быть использован в измерительной технике, системах безопасности, автоматике, робототехнике. ПДХ содержит диэлектрическую подложку с расположенным на ней полупроводниковым каналом, выполненным из полупроводникового алмаза и имеющим два омических токоподводящих контакта на концах канала и два омических холло...

Изобретение относится к области систем предупреждения об опасности, в частности к устройствам пожарной сигнализации, и предназначено для обнаружения очага возгорания в газодисперсных средах. Техническим результатом изобретения является увеличение быстродействия, что позволяет повысить эффективность системы пожаротушения или взрывоподавления. Предлагаемый пирометрический датчик содержит последоват...

Изобретение относится к обработке поликристаллических алмазных пластин и изделий из них и может быть использовано для производства элементов микроэлектроники, оптики инфракрасного, видимого и рентгеновского диапазонов. Осуществляют безабразивную полировку поверхности алмазных поликристаллических пластин трением путем взаимодействия поверхности пластин с вращающимся контртелом. Последнее изготавл...

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых диодов с барьером Шоттки на основе синтетического алмаза, широко применяющихся в сильнотоковой высоковольтной и твердотельной высокочастотной электронике. Изобретение позволяет создать высокоэффективный диод с барьером Шоттки на основе синтетического алмаза с высоким значением напряжения пробоя, малой величиной токов утечек и низким падением...

Изобретение относится к технологии изготовления термолюминесцентных дозиметров и может быть использовано в исследованиях воздействия радиации на вещества и биологические объекты, а также в аппаратуре дозиметрического контроля. Способ изготовления чувствительного элемента термолюминесцентного дозиметра включает изготовление кристаллического синтетического алмаза при температуре 1480°C и давлении...

Изобретение относится к технологическим процессам получения легированных алмазов, которые могут быть использованы в электронике и приборостроении, а также в качестве ювелирного камня. Легированный алмаз получают методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) на подложку в реакционной камере 2. Легирующий компонент 7 берут в твердом состоянии и размещают в камере легирования 3, в которой...

Изобретение относится к СВЧ электроакустике и является основой для создания стабилизированных генераторов сетки частот, узкополосных фильтров, высокочувствительных сенсоров и других СВЧ частотозадающих элементов для средств связи, автоматики и радиолокации. Технический результат - обеспечение высокой стабильности частоты генерации и минимального значения фазовых шумов в широком частотном диапазо...

Изобретение относится к способу преобразования энергии ионизирующего излучения в ультрафиолетовое излучение. В заявленном способе предусмотрено использование диссоциирующего газа и преобразование ультрафиолетового излучения в электрическую энергию с помощью полупроводникового алмаза. Источник альфа-излучения испускает альфа-частицы, которые в диссоциирующем газе превращаются в ультрафиолетовое и...

Изобретение может быть использовано в электронике, приборостроении и машиностроении при создании автономных устройств с большим сроком службы. Способ преобразования энергии ионизирующего излучения в электрическую энергию включает изготовление полупроводникового материала, состоящего из областей с р- и n-типами проводимости в области р-n перехода, нанесение на поверхность полупроводникового матер...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к устройствам пожарной сигнализации, и предназначено для обнаружения очага возгорания в газодисперсных системах (сплошная фаза-газ) и определения его двумерных координат по тепловому излучению источника. Техническим результатом изобретения является увеличение чувствительности, что позволяет повысить эффективность системы пожароту...

Изобретение относится к получению монокристаллов алмазов, в частности, легированных азотом и фосфором, при высоких давлениях и температурах, которые могут быть использованы в устройствах электроники. Способ выращивания легированных азотом и фосфором монокристаллов алмаза в области высоких давлений 5,5-6,0 ГПа и температур 1600-1750°С осуществляют на затравочном кристалле, который предварительно за...