Синельников Борис Михайлович (RU)
Изобретатель Синельников Борис Михайлович (RU) является автором следующих патентов:
Элемент памяти на основе структуры полупроводник - металл - полупроводник
Изобретение относится к цифровой технике и может быть использовано в качестве запоминающего устройства. Техническим результатом изобретения является уменьшение размеров элемента, упрощение изготовления, увеличение объема хранимой информации и облегчение доступа к ней вследствие возможности создания как планарных, так и объемных матриц, увеличение времени хранения информации, увеличение количества...
2289176Устройство аккумулирования электрического заряда на основе электронного насоса, структуры полупроводник - металл - полупроводник
Изобретение относиться к источникам накопления электрического заряда и может быть использовано в качестве аккумулятора электрической энергии. Техническим результатом изобретения является: уменьшение размеров, упрощение технологии изготовления, увеличение объема накапливаемой энергии. Согласно изобретению устройство аккумулирования электрического заряда состоит из омического контакта эмиттера, полу...
2292608Тонкопленочный полупроводниковый электронный резонатор
Изобретение относится к элементам микро- и наноэлектроники и может быть использовано в качестве резонатора в устройствах микро- и наноэлектроники как элемент, стабилизирующий несущую тактовую частоту. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается в уменьшении размеров резонатора, ограниченных методом литографии; получении элемента непосредственно в интеграл...
2293397Система прецизионной корректировки и управления движением отдельных заряженных частиц
Изобретение относится к области научного приборостроения, позволяет создавать и исследовать объекты размерами до 10-10 метра. Технический результат - возможность реализации растровой электронной микроскопии с высокой разрешающей способностью, определяемой квантовым соотношением неопределенности; ионной микроскопии с разрешением, зависящим от энергии и массы иона; электронной просвечивающей микроск...
2303311Способ синтеза люминофора на основе оксисульфида иттрия
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при получении люминесцентного наполнителя в парниковой полиэтиленовой пленке. Синтезируют полупродукт путем приготовления растворов нитратов иттрия и европия, предварительно добавив карбамид в количестве 0,5-2,5 молей на 1 моль оксида иттрия и тиокарбамид. Смесь нагревают до реакции горения, после которой готовят шихту сме...
2312122Материал для преобразования света и композиция для его получения
Изобретение относится к светопреобразующим материалам, применяемым в сельском хозяйстве, медицине, биотехнологии и легкой промышленности. Описывается светопреобразующий материал, включающий матрицу и, по меньшей мере, одно светопреобразующее соединение - люминофор, преобразующий УФ излучение в излучение иных цветов, который имеет размеры частиц от 0,3 до 0,8 мкм и общую формулу: Mex aAy...
2319728Композиционный материал для чувствительного элемента кобальтселективного электрода
Изобретение относится к области электрохимического анализа растворов, а именно к методике изготовления ионоселективного электрода для прямой потенциометрии. Композиционный электрод может найти применение в производственном, экологическом и медицинском контроле водных растворов на содержание ионов Со2+. Композиционный материал для кобальтселективного электрода представляет собой ионочувствительный...
2337351Металлополимерный электропроводящий материал для датчиков в экологическом мониторинге
Изобретение относится к области электрохимического анализа растворов, а именно к методике изготовления ионоселективного электрода для прямой потенциометрии. Композиционный электрод может найти применение в производственном, экологическом и медицинском контроле водных растворов на содержание ионов никеля. Техническим результатом изобретения является улучшение эксплуатационных характеристик датчиков...
2339026Композиционный материал серебро-полистирол для электрохимического анализа
Изобретение относится к области электрохимического анализа растворов, а именно к методике изготовления ионоселективного электрода для прямой потенциометрии. Композиционный электрод может найти применение в производственном, экологическом и медицинском контроле водных растворов на содержание ионов серебра. Техническим результатом изобретения является упрощение и удешевление технологии получения чув...
2339027Способ выращивания монокристаллов сапфира
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов сапфира и может быть использовано в оптической, химической и электронной промышленности. Способ включает вакуумную плавку исходной шихты в камере, вытягивание монокристалла на затравку с его разращиванием при одновременном охлаждении расплава и последующее охлаждение выращенного монокристалла. Перед началом разращивания монокристалла доп...
2355830Трехфазный графитовый трубчатый нагреватель
Изобретение относится к резистивным нагревателям и может быть использовано для выращивания монокристаллов карбида кремния. Утолщенная верхняя крепежная часть (1) предназначена для соединения сегментов нагревателя с тоководами. Тепловыделяющая средняя часть (ТСЧ) (2) разделена тупиковыми прорезями (ТП) (3). Утолщенный нижний кольцевой элемент (УНКЭ) (4) соединяет три сегмента нагревателя по схеме...
2383108Инфракрасный люминофор на основе оксисульфида иттрия
Изобретение предназначено для химической промышленности и может быть использовано для защиты ценных бумаг и документов, бланков строгой отчетности, знаков соответствия товаров и изделий, акцизных и сертификационных марок. Описывается ИК-люминофор формулы: Y2-x-yErxCeyO2S, где х=0,20-045; 1·10-4≤y≤5·10-3. ИК-люминофор на основе оксисульфида иттрия, активированный ионами эрбия и соактивированный ио...
2390535Cvd-реактор и способ синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремнии
Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Реактор для синтеза гетероэпитаксальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке путем химического...
2394117Фотоэлектрический преобразователь на основе непланарной полупроводниковой структуры
Изобретение относится к области преобразования солнечной энергии в электрическую и тепловую энергию с помощью охлаждаемых фотоэлектрических преобразователей. Изобретение может быть использовано для обеспечения электрической и тепловой энергией отдельных автономных объектов, например систем связи, наблюдения и т.д., потребляющих мощность 1-50, а также для нагрева хладагента, используемого в систем...
2399118Способ модифицирования антистоксовых люминофоров на основе оксихлоридов редкоземельных элементов
Изобретение относится к технологии модифицирования антистоксовых люминофоров на основе оксихлоридов редкоземельных элементов. Описывается способ модифицирования антистоксовых люминофоров на основе оксихлоридов редкоземельных элементов, включающий обработку люминофора легкоплавким стеклом с температурой растекания 560-600°С в количестве 7-20% от массы исходного люминофора при температуре 560-600°С...
2401293Многофункциональный антистоксовый люминофор с длительным послесвечением на основе оксисульфида иттрия
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано в производстве неорганических многофункциональных антистоксовых люминофоров на основе оксисульфида иттрия, которые могут применяться как для преобразования ИК-излучения в видимое свечение, для защиты ценных бумаг и документов, бланков строгой отчетности, знаков соответствия товаров и изделий, акцизных и идентификационных...
2401860Светопреобразующий материал и композиция для его получения
Изобретение относится к светопреобразующему материалу, предназначенному для покрытия парников, теплиц, стен, в качестве материала солнцезащитных зонтов, устройств подсветки и освещения, защитной одежды и элементов такой одежды, суспензий, паст, кремов. Описывается светопреобразующий материал, включающий матрицу и, по меньшей мере, одно композитное соединение, трансформирующее УФ-излучение в излуч...
2407770Способ выращивания монокристалла сапфира на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания
Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации диэлектрических материалов из расплава, например лейкосапфира. Способ основан на сравнении текущих параметров роста монокристаллов при постоянном весовом контроле и постоянной скорости кристаллизации с результатами периодических вычислений по математическим формулам, описывающим нелинейные процессы движения теплового поля и фро...
2417277Способ выращивания монокристалла сапфира на затравочном кристалле, остающемся в расплаве, в автоматическом режиме
Изобретение относится к области автоматического выращивания высокотемпературных монокристаллов и может быть использовано для управления процессом выращивания в ростовых установках с весовым методом контроля. В блок констант автоматической системы управления технологическим процессом вводят технологические параметры: справочные, паспортные, и практические данные установки, процесса выращивания, об...
2423559Быстрокинетирующий инфракрасный люминофор на основе ортофосфата иттрия со структурой ксенотима
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано в производстве инфракрасных люминофоров, предназначенных для создания на ценных бумагах скрытых машиночитаемых люминесцентных меток. Быстрокинетирующий инфракрасный люминофор на основе ортофосфата иттрия обладает структурой природного минерала ксенотама и имеет химический состав, отвечающий следующей эмпирической формуле:...
2429272Инфракрасный люминофор на основе ортофосфата иттрия и способ его получения
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано для производства инфракрасных люминофоров, обладающих при возбуждении излучением в ближнем ИК-диапазоне (0,80-0,82 и 0,90-0,98 мкм). Инфракрасный люминофор на основе ортофосфата иттрия может быть использован для создания скрытых, машиночитаемых люминесцентных меток, используемых для защиты ценных бумаг, а также в качестве...
2434926Гетероструктуры sic/si и diamond/sic/si, а также способы их синтеза
Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Гетероэпитаксиальную полупроводниковую пленку на монокристаллической подложке кремния выращивают методом химического осаждения из газовой фазы. П...
2499324Быстрокинетирующий инфракрасный люминофор на основе оксисульфидов иттрия и лантана
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении люминесцентных меток и регистрации быстропротекающих процессов. Быстрокинетирующий инфракрасный люминофор на основе оксисульфида иттрия или лантана обладает гексагональной структурой и имеет химический состав, отвечающий следующей эмпирической формуле: (Ln1-x-yNdxPry)2O2S, где Ln=Y, La; 2,5·10-3≤х≤2·10-2...
2516129Фотостимулируемый люминофор сине-зеленого цвета свечения на основе алюмината стронция
Изобретение может быть использовано для визуализации ИК-излучения и в устройствах для скрытой записи информации. Фотостимулируемый люминофор сине-зеленого цвета свечения на основе алюмината стронция, активированного ионами Eu2+ и Dy3+ , имеет химический состав, соответствующий следующей эмпирической формуле: (Sr1-x-y-z-cEuxDyyTmzLnc)4Al14O25, где 1·10-3≤x≤5·10-2; 0≤y≤5·10-3; 1·10-5≤z≤2,5·10...
2516657Люминофор комплексного принципа дейстия на основе оксисульфидов иттрия, лантана и гадолиния, активированный ионами yb3+ и tm3+
Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении изделий для регистрации модулированного излучения полиспектрального состава. Люминофор комплексного принципа действия на основе оксисульфидов иттрия, лантана, гадолиния, активированный ионами Tm3+ и сенсибилизированный ионами Yb3+, имеет следующий химический состав: (Ln1-x-y-d-cYbxTmyMe1dMe2c)2O2S, где Ln...
2610592