Григорашвили Юрий Евгеньевич (RU)

Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных СКВИДов. Сущность изобретения: в способе изготовления сверхпроводникового прибора, включающем формирование джозефсоновского перехода в высокотемпературной пленке на монокристаллической подложке MgO при помощи атомно-силового микроскопа, материалом высокотемпературной све...

Изобретение относится к области неразрушающего, дистанционного контроля. Направлено на выявление дефектов в изделиях из проводящих материалов. Технический результат: повышение достоверности обнаружения дефектов, производительности контроля, наглядности без использования механического передвижения частей устройства. Сущность: для создания трехмерного изображения используется матрица источников магн...

Изобретение относится к сверхпроводниковым приборам, использующим высокочувствительные структуры на базе пленочных высокотемпературных сверхпроводников. Сущность изобретения: в способе изготовления сверхпроводникового прибора на основе поликристаллических пленок высокотемпературного сверхпроводника, в котором границы между зернами проявляют свойства джозефсоновского перехода, материалом сверхпрово...

Изобретение относится к отрасли криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении толстопленочных структур на основе высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) и элементов, использующих эффект высокотемпературной сверхпроводимости. Сущность изобретения: способ изготовления толстопленочной структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника включает нанесение на подложку промежуточно...

Изобретение относится к отрасли криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении толстопленочных структур на основе высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) и элементов, использующих эффект высокотемпературной сверхпроводимости. Сущность изобретения: способ изготовления толстопленочной структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника включает нанесение на подложку промежуточ...

Изобретение относится к способу получения сверхпроводниковых изделий на основе керамики состава Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O и может быть использовано для изготовления мишеней, предназначенных для получения наноразмерных пленок высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) методом магнетронного напыления. Техническим результатом изобретения является разработка способа изготовления многокомпонентной мишени для...

Использование: для получения высокотемпературных сверхпроводников и изготовления высокочувствительных приемников электромагнитного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя формирование пленки из высокотемпературного сверхпроводящего материала, который представляет собой монофазный текстурированный сверхпроводник состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10, на диэлектрическо...

Способ относится к бесконтактной магнитометрической диагностике. Способ включает возбуждение переменного магнитного поля в зоне трубопровода, измерение над и вблизи трубопровода индукции переменного магнитного поля, создаваемой током в трубопроводе, измерение расстояния от датчиков до проекции оси трубопровода на дневную поверхность, индицирование величины и направления удаления датчиков от проекц...

Группа изобретений относится к области наружного диагностического контроля технических параметров подземного трубопровода и уровня его коррозионной защищенности от влияния окружающей среды. Сущность изобретений сводится к реализации возможности проведения диагностического контроля технических параметров подземного трубопровода при наличии в непосредственной близости - менее 2-х метров - соседних т...

Изобретение относится к области измерений с поверхности земли длин линейной части подземного трубопровода. Сущность изобретения заключается в том, что получают массив точек, имеющих GPS координаты сантиметрового диапазона точности, проводят селекции массива точек по критерию равенства угла фазы рабочего тока генератора, осуществляют выборку точек из числа оставшихся, имеющих максимальные значения...