Кузнецов Максим Викторович (RU)
Изобретатель Кузнецов Максим Викторович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ контроля качества цементогрунта Способ контроля качества цементогрунта](/img/empty.gif)
Способ контроля качества цементогрунта
Изобретение относится к области строительства, в частности к способам контроля качества цементогрунта, и может быть использовано при контроле качества оснований и устройстве фундаментов из цементогрунта в промышленном и гражданском строительстве. Технический результат - снижение стоимости работ, сокращение сроков их выполнения, расширение диапазона и повышение качества исследования характеристик....
2298789![Способ усиления водонасыщенных грунтов Способ усиления водонасыщенных грунтов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/92d463506147df6197557afb1dbece89.jpg)
Способ усиления водонасыщенных грунтов
Изобретение относится к области строительства, в частности к технологиям и оборудованию для усиления слабых водонасыщенных и структурно-неустойчивых грунтов в основании зданий и сооружений, а также может быть использовано при создании лабиринтных завес с целью снижения антропогенной деградации геологической среды в местах захоронения отходов и направлено на снижение стоимости, энергоемкости и пов...
2392382![Способ создания в грунтовом массиве пространственных структур из твердеющего материала Способ создания в грунтовом массиве пространственных структур из твердеющего материала](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ba5a65dd82fe796f4be722bba52ba7f4.jpg)
Способ создания в грунтовом массиве пространственных структур из твердеющего материала
Изобретение относится к области строительства, в частности к технологиям усиления просадочных, структурно-неустойчивых и слабых водонасыщенных грунтов в основании фундаментов зданий и сооружений. Способ создания пространственных структур из твердеющего материала в грунтовом массиве включает образование скважины, выполнение на ее стенке продольного концентратора напряжений, запирание верхней части...
2459037![Способ напыления в вакууме структур для приборов электронной техники, способ регулирования концентрации легирующих примесей при выращивании таких структур и резистивный источник паров напыляемого материала и легирующей примеси для реализации указанного способа регулирования, а также основанный на использовании этого источника паров способ напыления в вакууме кремний-германиевых структур Способ напыления в вакууме структур для приборов электронной техники, способ регулирования концентрации легирующих примесей при выращивании таких структур и резистивный источник паров напыляемого материала и легирующей примеси для реализации указанного способа регулирования, а также основанный на использовании этого источника паров способ напыления в вакууме кремний-германиевых структур](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b89f34b8a1905ad3cb85346b6c4bf924.jpg)
Способ напыления в вакууме структур для приборов электронной техники, способ регулирования концентрации легирующих примесей при выращивании таких структур и резистивный источник паров напыляемого материала и легирующей примеси для реализации указанного способа регулирования, а также основанный на использовании этого источника паров способ напыления в вакууме кремний-германиевых структур
Изобретение относится к технологии полупроводниковых структур для приборов электронной техники. Изобретение обеспечивает возможность прецизионного варьирования в широких пределах концентрацией легирующей примеси в выращиваемой структуре путем изменения температуры и агрегатного состояния источника примеси из напыляемого легированного материала. В способе напыления в вакууме структур для приборов...
2511279![Устройство полупроводникового светодиода Устройство полупроводникового светодиода](https://img.patentdb.ru/i/200x200/65756f3bdbc53150cb3f681d74bee978.jpg)
Устройство полупроводникового светодиода
Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, устройствам полупроводниковых светодиодов. В устройстве полупроводникового светодиода, излучающего через рассеивающую поверхность прозрачной пластины и содержащего в ней светогенерирующую область, в соответствии с изобретением, на поверхности пластины в качестве рассеивателя закреплен слой прозрачных частиц с большим...
2545492![Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона](https://img.patentdb.ru/i/200x200/08b78197ff76d7c3c2c865d8f7428412.jpg)
Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона
Использование: для формирования на подложках наноструктур, изготовления быстродействующих фотоприемников и детекторов электромагнитных колебаний терагерцового диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления детекторов терагерцового диапазона электромагнитных волн с поверхностно-барьерными диодами включает формирование на поверхности полупроводниковой пластины слоя изол...
2545497![Способ получения рельефа на поверхности Способ получения рельефа на поверхности](https://img.patentdb.ru/i/200x200/efec651f3bc491708a03ece9d2740d6c.jpg)
Способ получения рельефа на поверхности
Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике. Cпособ получения рельефа на поверхности светоизлучающих кристаллов полупроводниковых светодиодов локальными эрозионными воздействиями на поверхность, при этом в соответствии с изобретением, эрозия производится оптико-термическим действием импульсного лазерного излучения, проникающего в кристалл, с глубиной поглощени...
2546719![Оптический пассивный затвор Оптический пассивный затвор](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f54bbdc8383cc8b7e0f8036b69759fd7.jpg)
Оптический пассивный затвор
Изобретение относится к оптической и оптоэлектронной технике, а именно к устройствам предохранения фоточувствительных элементов оптических и оптоэлектронных систем от разрушающего воздействия мощного излучения. Оптический пассивный затвор содержит локально плавящуюся или испаряющуюся излучением зеркальную металлическую пленку, располагаемую в фокальной области объектива и закрепляемую с помощью...
2555211![Оптический пассивный ограничитель проходящего излучения Оптический пассивный ограничитель проходящего излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/0c8b7aa759469fb8566560410ac7b154.jpg)
Оптический пассивный ограничитель проходящего излучения
Изобретение относится к оптической и оптоэлектронной технике, а именно к устройствам предохранения фоточувствительных элементов оптических и оптоэлектронных систем от разрушающего воздействия мощного излучения. Оптический пассивный ограничитель проходящего излучения содержит прозрачную изолирующую подложку с полупроводниковой пленкой на поверхности, увеличивающей электрическую проводимость при...
2555503![Способ формирования тонкоплёночного рисунка на подложке Способ формирования тонкоплёночного рисунка на подложке](https://img.patentdb.ru/i/200x200/78ae0759a8b94b346fceeba034689480.jpg)
Способ формирования тонкоплёночного рисунка на подложке
Изобретение относится к оптическим технологиям формирования топологических структур на подложках, в частности к лазерным методам формирования на подложках топологических структур нано- и микроразмеров для нано- и микромеханики, микро- и наноэлектроники. В способе формирования тонкопленочного рисунка на подложке, использующем лазерное локальное облучение предварительно нанесенной пленки, в соответс...
2613054![Способ упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки Способ упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки](https://img.patentdb.ru/i/200x200/762fce1aaa73bb5c92df2072a69544ed.jpg)
Способ упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки
Использование: для формирования на подложках структурных образований из микро- и наночастиц. Сущность изобретения заключается в том, что по способу упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки путем их перемещения с помощью лазерного излучения, в соответствии с изобретением, подложки с наночастицами на поверхности облучают многократно импульсами лазерного пучка с распределением инт...
2646441