PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Кузнецов Максим Викторович (RU)

Изобретатель Кузнецов Максим Викторович (RU) является автором следующих патентов:

Способ контроля качества цементогрунта

Способ контроля качества цементогрунта

Изобретение относится к области строительства, в частности к способам контроля качества цементогрунта, и может быть использовано при контроле качества оснований и устройстве фундаментов из цементогрунта в промышленном и гражданском строительстве. Технический результат - снижение стоимости работ, сокращение сроков их выполнения, расширение диапазона и повышение качества исследования характеристик....

2298789

Способ усиления водонасыщенных грунтов

Способ усиления водонасыщенных грунтов

Изобретение относится к области строительства, в частности к технологиям и оборудованию для усиления слабых водонасыщенных и структурно-неустойчивых грунтов в основании зданий и сооружений, а также может быть использовано при создании лабиринтных завес с целью снижения антропогенной деградации геологической среды в местах захоронения отходов и направлено на снижение стоимости, энергоемкости и пов...

2392382

Способ создания в грунтовом массиве пространственных структур из твердеющего материала

Способ создания в грунтовом массиве пространственных структур из твердеющего материала

Изобретение относится к области строительства, в частности к технологиям усиления просадочных, структурно-неустойчивых и слабых водонасыщенных грунтов в основании фундаментов зданий и сооружений. Способ создания пространственных структур из твердеющего материала в грунтовом массиве включает образование скважины, выполнение на ее стенке продольного концентратора напряжений, запирание верхней части...

2459037

Способ напыления в вакууме структур для приборов электронной техники, способ регулирования концентрации легирующих примесей при выращивании таких структур и резистивный источник паров напыляемого материала и легирующей примеси для реализации указанного способа регулирования, а также основанный на использовании этого источника паров способ напыления в вакууме кремний-германиевых структур

Способ напыления в вакууме структур для приборов электронной техники, способ регулирования концентрации легирующих примесей при выращивании таких структур и резистивный источник паров напыляемого материала и легирующей примеси для реализации указанного способа регулирования, а также основанный на использовании этого источника паров способ напыления в вакууме кремний-германиевых структур

Изобретение относится к технологии полупроводниковых структур для приборов электронной техники. Изобретение обеспечивает возможность прецизионного варьирования в широких пределах концентрацией легирующей примеси в выращиваемой структуре путем изменения температуры и агрегатного состояния источника примеси из напыляемого легированного материала. В способе напыления в вакууме структур для приборов...

2511279

Устройство полупроводникового светодиода

Устройство полупроводникового светодиода

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, устройствам полупроводниковых светодиодов. В устройстве полупроводникового светодиода, излучающего через рассеивающую поверхность прозрачной пластины и содержащего в ней светогенерирующую область, в соответствии с изобретением, на поверхности пластины в качестве рассеивателя закреплен слой прозрачных частиц с большим...

2545492


Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона

Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона

Использование: для формирования на подложках наноструктур, изготовления быстродействующих фотоприемников и детекторов электромагнитных колебаний терагерцового диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления детекторов терагерцового диапазона электромагнитных волн с поверхностно-барьерными диодами включает формирование на поверхности полупроводниковой пластины слоя изол...

2545497

Способ получения рельефа на поверхности

Способ получения рельефа на поверхности

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике. Cпособ получения рельефа на поверхности светоизлучающих кристаллов полупроводниковых светодиодов локальными эрозионными воздействиями на поверхность, при этом в соответствии с изобретением, эрозия производится оптико-термическим действием импульсного лазерного излучения, проникающего в кристалл, с глубиной поглощени...

2546719

Оптический пассивный затвор

Оптический пассивный затвор

Изобретение относится к оптической и оптоэлектронной технике, а именно к устройствам предохранения фоточувствительных элементов оптических и оптоэлектронных систем от разрушающего воздействия мощного излучения. Оптический пассивный затвор содержит локально плавящуюся или испаряющуюся излучением зеркальную металлическую пленку, располагаемую в фокальной области объектива и закрепляемую с помощью...

2555211

Оптический пассивный ограничитель проходящего излучения

Оптический пассивный ограничитель проходящего излучения

Изобретение относится к оптической и оптоэлектронной технике, а именно к устройствам предохранения фоточувствительных элементов оптических и оптоэлектронных систем от разрушающего воздействия мощного излучения. Оптический пассивный ограничитель проходящего излучения содержит прозрачную изолирующую подложку с полупроводниковой пленкой на поверхности, увеличивающей электрическую проводимость при...

2555503

Способ формирования тонкоплёночного рисунка на подложке

Способ формирования тонкоплёночного рисунка на подложке

Изобретение относится к оптическим технологиям формирования топологических структур на подложках, в частности к лазерным методам формирования на подложках топологических структур нано- и микроразмеров для нано- и микромеханики, микро- и наноэлектроники. В способе формирования тонкопленочного рисунка на подложке, использующем лазерное локальное облучение предварительно нанесенной пленки, в соответс...

2613054


Способ упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки

Способ упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки

Использование: для формирования на подложках структурных образований из микро- и наночастиц. Сущность изобретения заключается в том, что по способу упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки путем их перемещения с помощью лазерного излучения, в соответствии с изобретением, подложки с наночастицами на поверхности облучают многократно импульсами лазерного пучка с распределением инт...

2646441