PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Егоров Константин Владиленович (RU)

Изобретатель Егоров Константин Владиленович (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления трехмерного многокристального микромодуля

Способ изготовления трехмерного многокристального микромодуля

Изобретение относится к области создания малогабаритных надежных микроэлектронных модулей, содержащих большое количество ИС. Сущность изобретения: в способе изготовления объемного гибридного интегрального микромодуля изготавливают гибкую плату в виде ленты с системой проводников для соединения с контактными площадками ИС и контактными площадками на одном конце ленты, служащими выводами модуля, и р...

2299497

Стенд для тепловых испытаний радиоэлектронных устройств космических аппаратов

Стенд для тепловых испытаний радиоэлектронных устройств космических аппаратов

Изобретение относится к тепловым имитационным стендам для испытаний аппаратуры космических аппаратов, выводимых на околоземную орбиту. Стенд содержит малогабаритную вакуумную камеру (ВК) с криогенным и соосным ему дополнительным экранами. Последний выполнен из материала с высокой теплопроводностью и нанесенным на его внутреннюю и внешнюю поверхности покрытием с максимальной степенью черноты. Име...

2553411

Способ изготовления ограничительного модуля на встречно-включенных p-i-n структурах

Способ изготовления ограничительного модуля на встречно-включенных p-i-n структурах

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при создании твердотельных ограничительных модулей для применения в гибридно-интегральных защитных и стабилизирующих СВЧ-устройствах пассивного типа. Способ изготовления ограничительного модуля на встречно-включенных p-i-n структурах включает равномерное утонение центральной части полупроводниковой пластины, легиро...

2622491

Способ изготовления свч полевого мощного псевдоморфного транзистора

Способ изготовления свч полевого мощного псевдоморфного транзистора

Изобретение относится к технологии изготовления полевых транзисторов. Способ изготовления СВЧ мощного полевого псевдоморфного транзистора на гетероэпитаксиальной структуре AlGaAs/InGaAs/GaAs заключается в том, что формируют субмикронный Т-затвор с применением оптической литографии. При формировании основания субмикронного Т-затвора используют двухслойную маску из диэлектрика и фоторезиста. Контрол...

2633724