ГЕРР Эгон (CH)
Изобретатель ГЕРР Эгон (CH) является автором следующих патентов:
Силовой полупроводниковый модуль
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом модуле, содержащем, по меньшей мере, две электропроводные пластины основания, множество полупроводниковых микросхем и корпус модуля, состоящий из электропроводной крышки и жестких элементов корпуса модуля, полупроводниковые микросхемы электрически соединены с помощью первых основн...
2302685