Петров Константин Игнатьевич (RU)
Изобретатель Петров Константин Игнатьевич (RU) является автором следующих патентов:
Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки
Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является повышение выходной мощности и коэффициента усиления по мощности и, следовательно, повышение коэффициента полезного действия СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки. Это достигается тем, что в мощном СВЧ полевом транзисторе с барьером Шотки на полуизолирующей подложке арсенида галлия с активным слоем n-типа...
2307424Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки, выполненный на полуизолирующей подложке полупроводникового материала группы АIIIBV с активным слоем, включает изготовление по меньшей мере, одной пары электродов истока и стока, канала между ними с канавкой, в которой выполнен электрод затвора типа барьер Шотки, смеще...
2361319Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки
Изобретение относится к электронной технике. Мощный СВЧ полевой транзистор с барьером Шотки содержит полуизолирующую подложку арсенида галлия с активным слоем, гребенку из чередующейся, по меньшей мере, более одной последовательности единичных электродов истока, затвора, стока. Между парами единичных электродов исток-сток расположены области полуизолирующего арсенида галлия, а в парах единичных э...
2393589Способ изготовления диэлектрической пленки для полупроводниковых структур электронной техники
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии полупроводниковых структур. Сущность изобретения: в способе изготовления диэлектрической пленки для полупроводниковых структур электронной техники, включающем формирование, по меньшей мере, одного слоя заданного диэлектрического материала пленки посредством плазмохимического осаждения с заданным режимом автосмещения, перед плазмох...
2419176Способ металлизации элементов изделий электронной техники
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ металлизации элементов изделий электронной техники включает нанесение на одной из поверхностей подложки с предварительно сформированной топологии элементов соответствующего изделия подслоя металлизационного покрытия в виде системы металлов с заданной толщиной, обеспечивающего адгезию основного слоя металлизационного покрыти...
2436183Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки включает изготовление на лицевой поверхности полуизолирующей подложки с активным слоем, по меньшей мере, одной пары электродов истока и стока с каналом между ними, канавки в канале под электрод затвора, электрода затвора типа барьер Шотки, асимметрично расположенного в...
2465682Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре
Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к мощным полевым транзисторам на полупроводниковой гетероструктуре. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре, содержащем полупроводниковую подложку и последовательность по меньшей мере одного слоя широкозонного и одного слоя узкозонного материала полупроводниковой гетероструктуры с заданными характеристиками и...
2599275