PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Ходжаев Валерий Джураевич (RU)

Изобретатель Ходжаев Валерий Джураевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления мдп ис

Способ изготовления мдп ис

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления МДП ИС включает создание на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины (ПП) областей кармана, образование подзатворного диэлектрика, формирование электродов полевых затворов, формирование маски и легирование стоков, истоков и охранных областей одного типа проводимости с низкой концентрацией прим...

2308119

Устройство для газоплазменной обработки материалов

Устройство для газоплазменной обработки материалов

Устройство предназначено для газопламенной обработки материалов и может быть использовано в радиотехнической, электронной, электротехнической и других отраслях промышленности при микросварке, пайке, резке металлов пламенем, полученным при сжигании смеси газов, производимой при электролизе воды. Электролизер соединен газопроводом с отстойником, редукционным клапаном, водяным затвором, осушителем,...

2447976

Способ изготовления ограничительного модуля на встречно-включенных p-i-n структурах

Способ изготовления ограничительного модуля на встречно-включенных p-i-n структурах

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при создании твердотельных ограничительных модулей для применения в гибридно-интегральных защитных и стабилизирующих СВЧ-устройствах пассивного типа. Способ изготовления ограничительного модуля на встречно-включенных p-i-n структурах включает равномерное утонение центральной части полупроводниковой пластины, легиро...

2622491

Способ изготовления свч полевого мощного псевдоморфного транзистора

Способ изготовления свч полевого мощного псевдоморфного транзистора

Изобретение относится к технологии изготовления полевых транзисторов. Способ изготовления СВЧ мощного полевого псевдоморфного транзистора на гетероэпитаксиальной структуре AlGaAs/InGaAs/GaAs заключается в том, что формируют субмикронный Т-затвор с применением оптической литографии. При формировании основания субмикронного Т-затвора используют двухслойную маску из диэлектрика и фоторезиста. Контрол...

2633724