Казимиров Николай Иванович (RU)

Изобретение относится к обработке выращенных методом Чохральского монокристаллов кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин - элементов солнечных батарей и интегральных схем. Способ изготовления монокристаллических кремниевых пластин предусматривает псевдоквадратирование монокристалла кремния с последующим шлифованием ребер псевдоквадратированного сли...

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии выращивания профилированных монокристаллов кремния в виде полых тонкостенных цилиндров для изготовления эпитаксиальных цилиндрических (непланарных) структур мощных силовых полупроводниковых приборов. Способ заключается в том, что герметизируют и вакуумируют вакуумную камеру с расположенными в ней тепловым узлом и полой...