PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Чепурнов Виктор Иванович (RU)

Изобретатель Чепурнов Виктор Иванович (RU) является автором следующих патентов:

Волноводная измерительная регулируемая головка с датчиком холла

Волноводная измерительная регулируемая головка с датчиком холла

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к измерителям проходящей мощности сверхвысоких частот, используемых в радиопередающих устройствах сверхвысоких частот, линейных ускорителях заряженных частиц. Технический результат - расширение динамического диапазона измерений. Для достижения данного результата волноводная измерительная регулируемая головка с датчиком Холла содержит отрезок...

2311649

Способ самоорганизующейся эндотаксии моно 3c-sic на si подложке

Способ самоорганизующейся эндотаксии моно 3c-sic на si подложке

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и может быть использовано преимущественно для изготовления высокотемпературных датчиков физических величин. Сущность изобретения: в способе самоорганизующейся эндотаксии моно 3С-SiC на кремниевой подложке получают карбидокремниевую монокристаллическую пленку кубической модификации, сопряженную с монокристаллической подложкой крем...

2370851

Способ изготовления изделий из порошков соединений ряда карбидов и связующая композиция для осуществления способа

Способ изготовления изделий из порошков соединений ряда карбидов и связующая композиция для осуществления способа

Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к изготовлению изделий из порошков твердых сплавов на основе карбидов. Смешивают временное связующее, содержащее двухкомпонентный диспергатор и двухкомпонентную смазочную добавку в весовом соотношении от 1:3,6 до 1:13,1, и порошкообразную смесь неорганических порошков, содержащую порошки карбидов и постоянного связующего. Формир...

2538743

Способ получения пористого слоя гетероструктуры карбида кремния на подложке кремния

Способ получения пористого слоя гетероструктуры карбида кремния на подложке кремния

Изобретение относится к области микроэлектронной технологии, а именно к способу получения полупроводниковой гетероструктуры карбида кремния на кремниевой подложке. Формируют слой карбида кремния с помощью атомов кристаллической решетки кремниевой подложки и атомов углерода, при этом осуществляют перенос углерода в молекулярной форме в потоке водорода с расходом 0,3-0,5 л/мин в зону реакции с атома...

2653398