Гусев Валентин Константинович (RU)

Изобретение относится к области вакуумного напыления тонких пленок и может быть использовано в системах магнитной записи, датчиках, основанных на магниторезистивном эффекте. Проводят послойное напыление магнитного сплава Fe-Ni и SiO2 в вакууме при приложении в плоскости осаждения внешнего магнитного поля и нагреве подложки с последующим отжигом всей структуры. Скорость напыления магнитного сплава...

Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано в датчиках перемещений, устройствах измерения электрического тока и магнитных полей. Магниторезистивный датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными проводящими перемычками тонкопленочные магниторезистивные полоски с полюсами Барбера. Два плеча...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного определения положения вала электродвигателя. Технический результат - повышение радиационной стойкости упрощение схемы обработки сигнала. Сущность изобретения заключается в том, что абсолютный датчик угла поворота, включающий магнитную систему, связанную с вращающимся валом, считывающее устройство, содержаще...

Изобретение относится к области магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков перемещений, устройств измерения электрического тока и магнитных полей, при изготовлении датчиков угла поворота, устройств с гальванической развязкой, магнитометров, электронных компасов и т.п. Технический результат: повышение эксплуатационной надежности датчика, повышение выхода годных, возможность...

Изобретение относится к области изготовления микросхем и может быть использовано для изготовления многоуровневых тонкопленочных гибридных интегральных схем и анизотропных магниторезистивных преобразователей. Технический результат - упрощение технологии изготовления микросхем и повышение их надежности. Достигается тем, что в способе изготовления многоуровневых тонкопленочных микросхем, включающем...

Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии. Способ изготовления магниторезистивного датчика заключается в формировании на изолирующей подложке моста Уинстона путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры с последующим формированием магниторезистивных полосок методом фотолитографического травления и напылении первого проводящего слоя с последующим формированием перемычек...

Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков для определения положения движущихся объектов, магнитометров, электронных компасов для систем навигации и т.д. Технический результат: повышение разрешающей способности за счет повышения стабильности выходного сигнала и повышение технологичности изготовления датчика за счет сокращения числ...

Изобретение относится к технологии нанесения нанопленок в вакууме и может быть использовано в производстве изделий микроэлектроники. Устройство содержит вакуумную камеру, магнетрон с кольцевой зоной эрозии мишени и связанные кинематически с реверсивным электроприводом вакуумный ввод с поводковым зацепом и платформу с подложкодержателями. Подложкодержатели кинематически связаны посредством оси с р...

Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано при изготовлении тахометров, датчиков перемещения, приборов для бесконтактного измерения электрического тока, магнитометров, электронных компасов и т.п. Способ изготовления магниторезистивного датчика включает формирование на изолирующей подложке методами вакуумного напыления и фотолитографии тонкопленочных функциональных элемент...

Изобретение относится к датчикам для измерения угла поворота, основанным на анизотропном магниторезистивном эффекте в тонких магнитных пленках, и может быть использовано в системах управления подвижными объектами. Технический результат – балансировка углового магниторезистивного датчика. Способ балансировки углового магниторезистивного датчика содержит этапы, на которых осуществляют подключение ди...