Сергеев Вячеслав Андреевич (RU)

Изобретение относится к медицинской технике. Установка для лучевой терапии содержит набор сменных модулей оптического излучения; устройство управления излучением; измеритель оптической мощности, включающий фотоприемное устройство; микропроцессор, связанный с панелью управления и индикатором. Кроме того, дополнительно введены пульсоксиметр, включающий датчик частоты пульса, индекса наполнения пульс...

Изобретение относится к контролю качества цифровых интегральных микросхем на основе ТТЛ и ТТЛШ логических элементов (ЛЭ). Сущность: микросхему разогревают током нагрузки при переключении логического состояния одного ЛЭ. Определяют греющую мощность. На выбранном ЛЭ, используемом в качестве датчика температуры, устанавливают на выходе напряжение логической единицы. Изменение напряжения логической ед...

Изобретение относится к контролю качества микросхем на основе ТТЛ и ТТЛШ логических элементов (ЛЭ). Сущность: микросхему нагревают ступенчатым изменением тока нагрузки по закону, аппроксимируемому гармонической функцией. Генератором импульсов, кольцевым регистром, схемами И, электронными коммутаторами, переменными сопротивлениями формируют ступенчатое изменение тока нагрузки ЛЭ. Аппроксимирование...

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества полупроводниковых диодов и оценки их температурных запасов. На исследуемый диод подают импульсы греющего тока постоянной амплитуды. В промежутках между импульсами греющего тока пропускают постоянный начальный ток. Величину Q-1, обратную скважности импульсов греющего тока, изменяют по гармоническому закону с частотой Ω....

Расходомер-счетчик содержит струйный автогенератор (1) с каналами обратной связи, в которых установлены датчики (2, 3) пульсации давления, дифференциальный усилитель (4), суммирующий усилитель (5), аналого-цифровые преобразователи (6, 7), устройства вычисления амплитудно-частотных спектров (8, 9), устройство вычитания спектров (10), устройство поиска максимума в спектре (11). Частотный выход устр...

Устройство предназначено для использования в нефтедобывающей, нефтеперерабатывающей и энергетической промышленности для нагрева нефти и нефтепродуктов при сливе из резервуаров. Устройство содержит резервуар; источник СВЧ энергии с волноводом в районе сливного прибора; радиопрозрачную пластину, закрепленную в открытом конце волновода; радиопоглощающий материал в виде полосы, закрепленный на спирал...

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества КМОП цифровых интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Техническим результатом является повышение чувствительности и точности измерения теплового импеданса КМОП цифровых интегральных микросхем. При этом на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательнос...

Изобретение относится к измерительной технике. Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества КМОП цифровых интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Выбранный в качестве источника тепла логический элемент микросхемы нагревают проходящим греющим током через p-n-переход, образованный сильнолегированной p+областью, электрически соединенной с выходом м...

Изобретение предназначено для отверждения ультрафиолетовым излучением полимерных материалов и может быть использовано, в частности, при изготовлении изделий цилиндрической формы и при ремонте поврежденных участков трубопроводов. Изобретение обеспечивает отверждение цилиндрических изделий из полимерных материалов, расположенных на участках поверхностей, в том числе представляющих собой целостную,...

Изобретение предназначено для использования на выходном и входном контроле качества цифровых КМОП интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Сущность: на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных переключающих греющих импульсов частотой Fгр, модулированных последовательностью прямоугольных видеоимпульсов с...

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых диодов. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что через полупроводниковый диод пропускают последовательность импульсов греющего тока, период следования которых постоянный, в паузах между ними измеряют температурочувствительный параметр - прямое падение напряжения н...

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в оптических системах передачи информации, датчиках оптических излучений малой интенсивности, измерителях оптических сигналов в физике высоких энергий и т.п. Технический результат - повышение быстродействия при работе с датчиками излучений в виде фотодиодов, имеющими значительную паразитную емкость. Приемник...

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества сверхбольших интегральных схем (СБИС) - микропроцессоров и микроконтроллеров - и оценки их температурных запасов. В контролируемую СБИС, установленную на теплоотводе и подключенную к источнику питания, загружают специальный «разогревающий» тест и программу управления и включают в режим периодического нагрева путем пере...

Устройство относится к установкам для отверждения полимерных материалов на основе полиэфирных смол ультрафиолетовым излучением и может быть использовано при изготовлении изделий со сложной поверхностью. Устройство для отверждения изделий из полимерных материалов ультрафиолетовым излучением содержит рамы. Верхние и нижние направляющие соединяют рамы. Каретки установлены на направляющих. В каретка...

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ основан на использовании известного эффекта резкого изменения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном переходе при постоянном эмиттерном токе от коллекторного напряжения UЭБ(UK). Контролируемый транзистор включается по схем...

Изобретение относится к технике измерения электрических параметров нелинейных элементов цепей с температурозависимой вольт-амперной характеристикой, в частности полупроводниковых приборов, и может быть использовано на выходном и входном контроле их качества. Подают на контролируемый двухполюсник последовательность коротких импульсов тока большой скважности с изменяющейся амплитудой и измеряют а...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения времени задержки распространения сигнала цифровых интегральных микросхем. Формируют стартовый и стоповый импульсы заданной длительности и с заданной длительностью интервала между ними, превышающей длительность стартового импульса. Стартовый и стоповый импульсы подают на два параллельных канала, каждый из которы...

Изобретение относится к технике измерения электрофизических параметров полупроводниковых диодов и может быть использовано на выходном и входном контроле их качества. Технический результат - повышение точности измерения последовательного сопротивления базы диода путем исключения саморазогрева p-n-перехода диода протекающим током в процессе измерения. Используется известный способ измерения послед...

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых изделий и может быть использовано на выходном и входном контроле качества изготовления светодиодов. Способ состоит в том, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону с глубиной модуляции а, в промежутк...

Изобретение относится к технике измерения параметров элементов электрических цепей и может быть использовано для измерения параметров элементов многоэлементных двухполюсников, в том числе параметров элементов эквивалентных схем замещения полупроводниковых приборов. На контролируемый n-элементный двухполюсник подают напряжение в виде случайного сигнала, имеющего равномерный амплитудный спектр в д...

Использование: для контроля качества цифровых интегральных микросхем КМОП логическими элементами и оценки их температурных запасов. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает подачу напряжения на контролируемую микросхему, переключение логического состояния греющего логического элемента последовательностью периодических импульсов, измерение изменения температурочувствительного...

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов наноэлектроники, таких как нанотранзисторы, нанорезисторы и др.. Сущность: способ заключается в пропускании через объект измерения последовательности импульсов греющего тока с постоянным периодом следования и длительностью, изменяющейся по гармоническому закону, измерении в паузах температурочувствительного параметр...

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества и оценки температурных запасов цифровых интегральных микросхем на выходном и входном контроле. Сущность: нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой микросхемы соединяют по схеме кольцевого генератора. Замыкая цепь обрат...

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества. Способ заключается в том, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, постоянны...

Изобретение относится к оптоэлектронной измерительной технике и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых светоизлучающих диодов на различных этапах их разработки и производства, на входном контроле предприятий-производителей светотехнических изделий с использованием светодиодов, а также при выборе режимов эксплуатации указанных изделий. Технический результат - со...