Жижин Герман Николаевич (RU)

Изобретение относится к спектрометрии. Спектрометр содержит перестраиваемый по частоте источник монохроматического излучения с отличной от нуля р-составляющей, а также регулируемый поглотитель излучения реперного пучка. Исследуемая поверхность образца выполнена двухгранной, причем элемент преобразования объемного излучения в поверхностный плазмон (ПП) размещен на одной, а элемент преобразования ПП...

Изобретение относится к тепловым фотоприемникам для обнаружения монохроматического излучения дальнего инфракрасного (ИК) диапазона и определения угла прихода этого излучения. Разработка может найти применение в спектрометрических и астрономических приборах, в спецтехнике и в средствах связи. Металлический болометр содержит непрозрачную металлическую пленку на оптической теплоизолирующей подложке,...

Изобретение относится к бесконтактным исследованиям поверхности металлов и полупроводников оптическими методами. Устройство содержит плавно перестраиваемый по частоте источник лазерного излучения, твердотельный образец с плоской поверхностью и исследуемым слоем на ней, элемент преобразования объемного излучения (ОИ) в поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ) и обратно, фотоприемное устройство, п...

Способ разделения совмещенных поверхностной и объемной электромагнитных волн терагерцового диапазона, включающий предварительное формирование на поверхности образца канавки со сглаженными краями и осью, перпендикулярной плоскости падения, пересекающей трек пучка лучей поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ) и имеющей размер вдоль трека меньше длины распространения ПЭВ, и последующее направлен...

Изобретение относится к разделу инфракрасной оптики. В способе определения показателя преломления поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ), включающем формирование интерференционной картины в результате сложения опорной электромагнитной волны и волны, порожденной исходным пучком ПЭВ, опорную волну получают в виде нового пучка ПЭВ, образованного путем отделения части лучей от исходного пучка, п...

Изобретение относится к измерительной технике. Устройство содержит источник лазерного излучения, твердотельный образец с плоской поверхностью, направляющей поверхностные электромагнитные волны (ПЭВ), элемент преобразования объемного излучения в ПЭВ и фотодетектор, размещенный у края поверхности в плоскости падения излучения и подключенный к измерительному прибору. При этом образец выполнен в вид...

Изобретение относится к измерительной технике. В устройстве, содержащем источник лазерного излучения, твердотельный образец с плоской поверхностью, направляющей поверхностные электромагнитные волны (ПЭВ), элемент преобразования объемного излучения в ПЭВ и фотодетектор, образец выполнен в виде двух частей, имеющих лежащие в одной плоскости сопряженные поверхности и прилегающих друг к другу боковы...

Заявленное изобретение относится к способу определения коэффициента затухания ПЭВ ИК-диапазона за время одного импульса излучения. При этом при реализации способа возбуждают контролируемый пучок параллельных лучей ПЭВ на плоской поверхности образца падающим монохроматическим излучением. Измеряют интенсивности поля ПЭВ. При этом контролируемый пучок лучей ПЭВ разделяют на два пучка параллельных лу...

Изобретение может быть использовано в ИК-спектроскопии поверхности металлов и полупроводников, в исследованиях физико-химических процессов на поверхности твердого тела, а также в устройствах передачи и обработки информации с помощью ИК-излучения. Способ преобразования монохроматического инфракрасного излучения в поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ) включает размещение образца на прозрачной...

Изобретение относится к оптике конденсированных сред и может быть использовано для определения оптических постоянных твердых тел с отрицательной действительной частью диэлектрической проницаемости. Способ включает измерение интенсивности поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ) после пробега волной двух различных расстояний по плоской поверхности образца и глубины проникновения поля ПЭВ в окруж...

Изобретение относится к оптическим методам исследования тонких слоев на поверхности металлов и полупроводников, а именно к инфракрасной (ИК) спектроскопии диэлектрической проницаемости. Способ диэлектрической спектроскопии включает воздействие на слой зондирующим излучением, для которого материал тела имеет известную диэлектрическую проницаемость с отрицательной действительной частью, преобразова...

Изобретение относится к оптическим методам исследования материалов, а именно к определению спектров комплексной диэлектрической проницаемости или оптических постоянных. Способ заключается в размещении в каждом плече двухлучевого интерферометра по одному идентичному герметичному контейнеру с прозрачными окнами, в одном из которых в измерительном плече размещают прозрачный образец исследуемого веще...

Способ включает нанесение слоя на подложку, способную направлять поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ), воздействие зондирующим излучением на подложку, преобразование излучения в ПЭВ, регистрацию изменений ПЭВ в результате пробега ей макроскопического расстояния Δх, расчет толщины слоя по результатам измерений и значениям оптических постоянных вещества слоя и материала подложки. ПЭВ преобраз...

Устройство содержит источник лазерного излучения, твердотельный образец с плоской поверхностью, направляющей ПЭВ, состоящий из двух частей, имеющих сопряженные поверхности, зафиксированный относительно первой части по ходу излучения элемент преобразования излучения в ПЭВ, приемник излучения. Приемник излучения размещен в плоскости падения излучения у края образца и подключен к измерительному приб...

Изобретение относится к инфракрасной спектроскопии поверхностей металлов и полупроводников. Спектрометр содержит перестраиваемый по частоте источник p-поляризованного монохроматического излучения, элемент преобразования излучения источника в поверхностные плазмоны (ПП), твердотельный проводящий образец с плоскогранной поверхностью, фотодетектор, устройство обработки информации и непрозрачный экра...

Изобретение относится к оптическим методам исследования поверхности металлов и полупроводников. Спектрометр содержит источник объемного излучения, светоделитель, расщепляющий излучение на измерительный и реперный пучки, зеркало, твердотельный проводящий образец с двумя сопряженными скругленным ребром плоскими гранями, размещенный на одной из этих граней элемент преобразования излучения измеритель...

Изобретение относится к оптическим методам контроля качества поверхностей металлов и полупроводников. Способ включает воздействие на поверхность зондирующим излучением, для которого металл имеет отрицательную действительную часть диэлектрической проницаемости, преобразование излучения в набор пучков поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ), направляемых поверхностью, освещение контролируемого уч...

Изобретение относится к оптике дальнего инфракрасного (ИК) и терагерцового (ТГц) диапазонов и может найти применение в установках, содержащих широкополосные источники ТГц-излучения, в ТГц плазменной и фурье-спектроскопии проводящей поверхности и тонких слоев на ней, в перестраиваемых фильтрах ТГц-излучения. Способ управления спектром пучка широкополосного ТГц-излучения включает размещение на пут...

Изобретение относится к области бесконтактного исследования поверхности металлов оптическими методами, а именно к способу измерения длины распространения поверхностных плазмонов, направляемых этой поверхностью. Способ включает измерение интенсивности излучения вдоль трека плазмонов и расчет значения длины распространения по результатам измерений. При этом проводят измерение интенсивности объемно...

Изобретение относится к бесконтактным пассивным методам обнаружения и локализации металлических объектов в инфракрасном (ИК) излучении, а именно к локализации металлических тел в форме прямоугольного параллелепипеда путем регистрации излучаемого ими теплового ИК-излучения, и может найти применение в системах спецтехники, предназначенных для обнаружения и установления точного местонахождения и ра...

Изобретение относится к области средств коммуникации, в которых перенос информации осуществляется поверхностными электромагнитными волнами, точнее поверхностными плазмон-поляритонами (ППП) терагерцового (ТГц) диапазона, направляемыми плоской поверхностью проводящей подложки, и может найти применение в плазмонных сетях связи, а также в устройствах сбора и обработки информации с использованием эле...

Изобретение относится к оптическим методам контроля качества поверхности металлов и полупроводников, а именно к инфракрасной (ИК) амплитудной рефлектометрии. Устройство содержит источник p-поляризованного монохроматического излучения, два элемента преобразования излучения в ПЭВ, приемник излучения, размещенный в окружающей среде в плоскости падения, и измерительный прибор, регистрирующий поступающ...