Кольцова Татьяна Николаевна (RU)

Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов. Может использоваться в магнитоэлектронике. Полупроводниковый антиферромагнитный материал характеризуется температурой перехода в парамагнитное состояние TN=600-650 К и представляет собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта Zn1-XCoXO, где...

Изобретение относится к способу получения углеводородов С2-С3 высокотемпературным каталитическим окислительным превращением метана, заключающемуся в подаче в реактор, в который помещен катализатор, а свободный объем которого заполнен инертной насадкой, исходной газовой смеси, содержащей смесь метана и молекулярного кислорода, со скоростью 50000-70000 мл/г/ч, причем катализатор включает в свой сост...

Изобретение относится к полупроводниковым материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов класса разбавленных магнитных полупроводников. Может использоваться в спинтронике. Полупроводниковый ферримагнитный материал имеет температуру перехода в парамагнитное состояние ТК=470-520 К и представляет собой твердый раствор оксидов...

Изобретение относится к области металлургии, в частности к полупроводниковым ферримагнитным материалам. Заявлен полупроводниковый ферримагнитный материал. Материал характеризуется постоянством величины намагниченности насыщения при изменении индукции магнитного поля и включает железо, галлий и магний, представляет собой гомогенный раствор оксидов железа, галлия и магния и отвечает формуле Mg(Fe1-...