Янушкевич Казимир Иосифович (BY)
Изобретатель Янушкевич Казимир Иосифович (BY) является автором следующих патентов:
Полупроводниковый антиферромагнитный материал
Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов. Может использоваться в магнитоэлектронике. Полупроводниковый антиферромагнитный материал характеризуется температурой перехода в парамагнитное состояние TN=600-650 К и представляет собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта Zn1-XCoXO, где...
2318262Способ получения тонкопленочного оксидного материала, легированного ионами ферромагнитного металла, для спинтроники
Изобретение относится к области получения тонких пленок материалов, которые могут быть использованы в устройствах систем полупроводниковой спиновой электроники. Способ получения тонкопленочного оксидного материала, легированного ионами ферромагнитного металла, включает распыление прекурсора на подложку в разряженной атмосфере при высоких температурах. Распыление осуществляют путем испарения исхо...
2360317Спиновый транзистор
Изобретение относится к области спиновой электроники (спинтронике), более конкретно к устройствам, которые могут быть использованы в качестве элемента ячеек спиновой (квантовой) памяти и логических информационных систем, а также источника спин-поляризованного излучения (лазером) в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне. Сущность изобретения: в спиновом транзисторе, содержащем эмиттер, выполне...
2387047Полупроводниковый ферримагнитный материал
Изобретение относится к полупроводниковым материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов класса разбавленных магнитных полупроводников. Может использоваться в спинтронике. Полупроводниковый ферримагнитный материал имеет температуру перехода в парамагнитное состояние ТК=470-520 К и представляет собой твердый раствор оксидов...
2392680Магнитный, теллурсодержащий халькогенид марганца с гигантским магнитосопротивлением
Изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Магнитный теллурсодержащий халькогенид марганца с гигантским магнитосопротивлением MnSe1-xTex, в котором Х=0,1; 0,2, 0,4, включает марганец, селен и теллур при следующем соотношении компонентов соответственно, масс.%: марганец 50, 50, 50; селен 45, 40, 30; теллур 5, 10, 20. Изобретение позволяет разрабатывать на основе теллурсодержащего халь...
2454370