Курочкин В.И.
Изобретатель Курочкин В.И. является автором следующих патентов:
![Кипрегель Кипрегель](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d5efb0200b2d424c6ec8b6436b562d18.jpg)
Кипрегель
ССГР М 6734T 1 ласс 42с, 7в4 " :." (. АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ОПИС К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зарегистрировано в Б оро изобретений Госалана СССР В. И. Курочкин КИПРЕГЕЛЬ Заявлено 6 ик>ня 1944 г. в Комитет по делам геологии за ¹ 935 (333859) Опубликовано 31 октября 1946 г. Предмет изобретения Уже известны кипрегели с вертикальным кругом, плоскость которого параллельна оптической оси...
67347![Убирающееся лыжное шасси летательного аппарата Убирающееся лыжное шасси летательного аппарата](/img/empty.gif)
Убирающееся лыжное шасси летательного аппарата
(19)RU(11)1213659(13)C(51) МПК 6 B64C25/52Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 1 год с 06.07.1993 по 05.07.1994(54) УБИРАЮЩЕЕСЯ ЛЫЖНОЕ ШАССИ ЛЕТАТЕЛЬНОГО АППАРАТА Изобретение относится к авиационной технике, а именно к взлетно-посадочным устройствам летательных аппаратов. Целью изобретения является уменьшение объема ниши...
1213659![Сборная литейная форма для отливки полого валка Сборная литейная форма для отливки полого валка](/img/empty.gif)
Сборная литейная форма для отливки полого валка
Использование: для изготовления литейных форм для получения полых валков. Сущность: по оси формы установлена стальная труба с приваренными к ней дополнительными стальными трубками, расположенными параллельно ей на равном расстоянии от нее и друг от друга, причем расстояние между осями диаметрально противоположных дополнительных трубок равно 0,84 ... 0,9 диаметра бочки валка. Отношение объ...
2022703![Оболочка реакторного отделения Оболочка реакторного отделения](/img/empty.gif)
Оболочка реакторного отделения
Использование: в конструкциях оболочек реакторного отделения и других сооружениях с защитными оболочками, воспринимающими повышенные нагрузки как изнутри так и снаружи. Сущность изобретения состоит в том, что при изготовлении рядов каналообразователей для гибких напрягаемых элементов 6 и 7, направленных на пересечение с проемом 2, каналообразователи смещены у последнего: одни ряды к наруж...
2045642![Оболочка реакторного отделения Оболочка реакторного отделения](/img/empty.gif)
Оболочка реакторного отделения
Использование: в конструкциях оболочек реакторного отделения и других сооружений с защитными оболочками, воспринимающими повышенные нагрузки, возникающие как изнутри, так и снаружи оболочки. Цель изобретения - снижение материалоемкости и повышение надежности работы конструкции оболочки реактивного отделения. Сущность изобретения: на наружной и внутренней поверхностях стенки оболочки, в ко...
2060334![Обжимное устройство Обжимное устройство](/img/empty.gif)
Обжимное устройство
Изобретение относится к области строительства железобетонных корпусов высокого давления и может быть использовано при армировании цилиндрической части корпуса в процессе создания предварительно напряженной конструкции. Целью изобретения является обеспечение более равномерного обжатия конструкции по всей наружной поверхности. Существенные признаки состоят в том, что обжимное устройство сна...
2079622![Железобетонный резервуар Железобетонный резервуар](/img/empty.gif)
Железобетонный резервуар
Использование: изобретение относится к строительству резервуаров повышенной надежности для длительного хранения запаса жидкости на атомных электростанциях. Сущность изобретения: железобетонный резервуар, содержащий внутреннюю и наружную облицовку, снабжен герметичной емкостью с испарителем, при этом полость емкости сообщена с полостью, образованной между внутренней и наружной облицовками...
2089949![Опора для крепления рельсов Опора для крепления рельсов](/img/empty.gif)
Опора для крепления рельсов
Использование: в промышленности, в том числе для полярных кранов на атомных станциях, и относится к устройствам для крепления подкрановых рельсов. Сущность изобретения: опора для крепления рельсов включает в себя закрепленную на основании втулку 1 с резьбовой нарезкой 2, в зацеплении по резьбе с втулкой 1 находится кольцо 3, которое имеет с верхней стороны вогнутую сферическую опорную пов...
2114046![Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского](/img/empty.gif)
Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов лантангаллиевого силиката, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Шихту лангасита синтезируют твердофазным синтезом, помещают в иридиевый тигель, установленный в тепловой узел ростовой установки "Кристалл-3М". В контакт с поверхностью расплава вводится вращающийся затравочный кристалл, ор...
2143015![Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката](/img/empty.gif)
Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката
Изобретение относится к получению шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского. Задачей изобретения является получение профилированных таблеток шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката и сокращение предварительных операций подготовки шихты. Взвешенные в расчетном стехиометрическом соотношении исходные компоненты - оксид лантана,...
2147048![Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского](/img/empty.gif)
Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского
Изобретение относится к получению лантангаллиевого силиката, применяемого для изготовления пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосвязи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Техническим результатом изобретения является совмещение процессов наплавления, затравливания и роста в одном технологическом цикле при выращивании лантангаллиев...
2147632![Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (la3ga5,5,nb0, 5o14) Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (la3ga5,5,nb0, 5o14)](/img/empty.gif)
Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (la3ga5,5,nb0, 5o14)
Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение в компактном рациональном виде (в форме профилированных таблеток) поликристаллической шихт...
2160796![Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата (la3ga5,5ta0, 5о14) Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата (la3ga5,5ta0, 5о14)](/img/empty.gif)
Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата (la3ga5,5ta0, 5о14)
Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение поликристаллической шихты в компактном виде, в форме профилированных таблеток для выращивания мон...
2160797![Монокристалл для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения Монокристалл для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения](/img/empty.gif)
Монокристалл для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения
Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) и объемных акустических волнах (ОАВ). Сущность изобретения: в качестве монокристалла для изготовления дисков в устройствах на ПАВ используют монокристалл лантанголлиевого ниобата или лантангаллиевого танталата с диаметром 86-110 мм в направлении термостабильно...
2172362![Способ получения шихты для выращивания монокристаллов галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция Способ получения шихты для выращивания монокристаллов галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция](/img/empty.gif)
Способ получения шихты для выращивания монокристаллов галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция
Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления шихты для выращивания нового класса упорядоченных четырехкомпонентных соединений галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция (Ca3Ga2Ge4O14). Сущность изобретения: в способе твердофазного синтеза проводят смешивание предварительно прошедших термообработку оксидов элементов, входящих в состав выращива...
2194808