Кононенко Олег Викторович (RU)

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к тонкопленочным датчикам на основе экстраординарного эффекта Холла, и может быть использовано в микроэлектронике при измерении и регистрации локальных магнитных полей и величин электрического тока, а также при разработке микроэлектронных устройств нового поколения. Датчик Холла для локальной магнитометрии включает подложку, помещенную н...

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых наноприборов на основе р-n перехода, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д. Сущность изобретения: в структуре гетерогенного р-n перехода на основе, по крайней мере, одного наностержня оксида цинка n-типа проводимости и полупроводниковой пленки р-типа проводимост...

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д. Изобретение обеспечивает повышение качества р-n перехода за счет получения совершенного р-n перехода на основе совместимых друг с другом компонентов, в котором отсутствует его закорачивание....

Изобретение может быть использовано при изготовлении прозрачных электродов и приборов наноэлектроники. Графеновую пленку получают осаждением в вакууме углерода из углеродсодержащего газа на подложку, покрытую катализатором, предварительно нагретую до температуры, превышающей разложение углеродсодержащего газа. Углеродсодержащий газ напускают до давления 1-10-4 торр. Откачивание реактора производ...

Изобретение относится к области химии и может быть использовано при изготовлении приборов наноэлектроники, оптоэлектроники, сенсоров, фотовольтаики, а также для хранения энергии. На изолирующую подложку осаждают пленку алюминия толщиной 1-100 нм, напыляют на неё пленку переходного металла, например, Fe, Co или Ni, толщиной 0,1-10 нм, отжигают на воздухе при температуре 200-950°С в течение 0,1-10...

Изобретение относится к химии, оптоэлектронике и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении прозрачных электродов и приборов наноэлектроники. В кварцевый реактор помещают подложку - Х-срез пьезоэлектрического кристалла, например, La3Ga5,5Ta0,5O14, плоскости (110) которого параллельны поверхности кристалла. Реактор вакуумируют до 10-3-10-8 Торр и нагревают до 900-1450 °С. Затем в реа...