Алексеев Н.В.

  Класс 80с, 16„ СС СР № 67731 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зарегистрировано в Бюро изабре Г. С. Шульц и Н. В. Алексеев :СПОСОБ ВЫГРУЗКИ КИРПИЧА ИЗ КАМЕРЫ ГОФМАНСКОИ ПЕЧИ Заявлено 19 сентября 1939 г. в Наркомпромстройматерналов СССР за № 28934 (301806). Опубликовано 31 декабпя 1946 г Разгрузка гофманских печей обычно производится при помощи нескольких транспор...

  М 1!!11!17 1(!!асс 11;., 3 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ H. В. Алексеев ФОРЗАЦИАМАЗОЧИЫЙ CTAHOK Заявлено 23 октября 1954 г. вв М:78/450300 в Мин!!стсрство культуры (.CCP Предметом изобретения является усовершенствование форзацнам азочного станка, снабженного парой приВОдных клсенамаз!э!Ва!Ощ!!х Ва:!икОВ, установленных с зазором для ilpo oда к!!Нжш-. х бло...

 Устройство для определения высоты и вертикальной скорости летательного аппарата по авт. св. № 844063, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения высоты и вертикальной скорости летательного аппарата, в него введены пятый и шестой усилители, два вычитающих устройства, третий сумматор, два источника опорного сигнала и источник единичного сигнала, причем вход шестого усилит...

 Устройство для измерения вертикальной скорости самолета, содержащее индикатор полетной информации, инерциальный датчик вертикальной скорости и барометрический высотомер, подключенный к первому входу первого вычитающего устройства, выход которого соединен со входами первого, второго и третьего усилителей, при этом выход третьего усилителя подключен к первому входу первого сумматора, соедин...

 Устройство для измерения вертикальной скорости, высоты и статического давления воздуха на высоте полета самолета, содержащее датчик вертикального ускорения и датчик барометрической высоты, состоящий из последовательно соединенных приемника воздушного давления, трубопровода, датчика статического давления воздуха и функционального преобразователя, подключенного к первому входу первого вычит...

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности и процента выхода годных схем за счет улучшения планаризации рельефа проводников. Способ включает следующие операции. На подложке формируют проводники. Наносят диэлектрическую пленку. Наносят пленку резиста. Над центральной частью поверхности проводников пле...

  Изобретение относится к технологии производства тугоплавких соединений, а именно ультрадисперсного порошка карбонитрида титана, пригодного для использования в различных областях техники. Цель изобретения повышение окислительной устойчивости порошка карбонитрида титана на воздухе. Изобретение представляет собой получения ультрадисперсного порошка карбонитрида титана путем воздействия элек...

 Изобретение относится к ракетной технике, а именно к комбинированным ракетно-прямоточным двигателям. Техническая задача изобретения заключается в расширении диапазона применения двигателя и обеспечении безударного снятия стартовика с упоров. Ракетно-прямоточный двигатель содержит маршевый двигатель и сообщенную с воздухозаборником камеру сгорания прямоточного двигателя, в которой в двух к...

 Изобретение относится к области химической технологии, в частности, к получению синтез-газа. Сущность изобретения: процесс осуществляют конверсией углеводородного сырья в струе плазмы путем подачи водяного пара в плазмотрон с последующим введением плазмы и углеводородов в камеру смешения и подачей полученной смеси в реактор. При этом часть водяного пара вводят в камеру смешения и/или част...

 Изобретение относится к радионавигации и может быть использовано для передачи навигационной и дополнительной информаций. Устройство содержит генератор 1 эталонной частоты, два фазовых модулятора 2, 14, передатчик 3 навигационной информации, передающую антенну 4, синтезатор 5 тактовой частоты, синтезатор 6 несущих частот, генераторы 7, 8 псевдослучайной последовательности, делитель 9 часто...

 Изобретение относится к определению параметров полета летательных аппаратов или параметров потока в аэродинамических трубах. Приемник воздушного давления, выполнен в виде двух расположенных соосно тел в виде призм, сечения которых имеют форму равностороннего треугольника с вершинами, смещенными на угол 60o, а на боковых гранях призм выполнены приемные отверстия, соединенные пневмотрассами...

 Изобретение относится к металлургии и может быть использовано при производстве лигатур алюминотермическим способом. Способ включает загрузку в вакуумную камеру шихтовых компонентов из окислов металлов, алюминия и шлакообразующих металлов, создание вакуума в камере, расплавление шихтовых компонентов, выдержку металлического расплава и жидкого шлака и осаждение на внутренней полости вакуумн...

 Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных или МОП транзисторах. Сущность изобретения: процесс реактивного ионного травления поликремния в плазме гексафторида серы (SF6) и кислорода при содержании кислорода в газовой смеси 25-35 об.% в два этапа при разных уровнях мощности (1,2-1,4 Вт/см2 и 0,5-0,7 Вт/см2) с использованием датчика окончания процесса...

 Использование: технология изготовления ИС на этапе формирования резисторов и защитных металлических покрытий. Сущность изобретения: процесс реактивного ионно-плазменного травления пленок Та, TaN, TaAl в плазме BCl3-Cl2-CCl4-N2 с дотравливанием остатков этих пленок на рельефной поверхности в плазме CF4-O2 или SF6-O2. Технический результат изобретения заключается в уменьшении разброса значе...

 Паровая турбина малой мощности, используемая в небольших энергоустановках, содержит ротор, по периметру которого расположены лопатки турбины. Лопатки турбины выполнены из соединенных в единое целое посредством сварки шаров с формированием сотовой структуры со смещением одного слоя шаров относительно другого, при котором промежутки между шарами одного слоя расположены над вершинами шаров с...

 Способ относится к области микроэлектроники, к технологии изготовления интегральных схем на этапе формирования многоуровневой металлической разводки. Сущность изобретения: для формирования наклонного профиля переходных окон в диэлектрике сформированная на его поверхности фоторезистивная маска подвергается термообработке при 140-160oС до получения наклонных стенок окон, а затем плазмохимич...

 Использование: в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем на этапе плазменного травления пассивирующих покрытий. Техническим результатом изобретения является устранение образования фторуглеродной пленки, что приводит к повышению качества изделий. Сущность изобретения заключается в проведении процесса плазменного травления двухслойного пассивирующего покрытия SiC-Si3N4 в газовой...