ПАРК Хее Сеок (KR)

Изобретение относится к технологии получения монокристалла нитрида на кремниевой пластине и светоизлучающего устройства на его основе. Согласно одному из аспектов изобретения при выращивании монокристалла нитрида сначала подготавливают кремниевую подложку, имеющую поверхность с кристаллографической ориентацией (111), на ней формируют первый нитридный буферный слой, на котором формируют аморфную ок...

Нитридный полупроводниковый светоизлучающий прибор включает в себя: нитридную полупроводниковую область n-типа, активный слой, сформированный на нитридной полупроводниковой области n-типа, и нитридную полупроводниковую область р-типа, сформированную на активном слое. Нитридная полупроводниковая область р-типа имеет многослойную структуру, в которой наслоены по меньшей мере две пары легированных...

Изобретение относится к нитридным полупроводникам р-типа проводимости и светоизлучающим приборам с их использованием. Сущность изобретения: способ изготовления нитридного полупроводника р-типа, включающий в себя: выращивание нитридного полупроводника р-типа с многослойной структурой, имеющей множество высококонцентрированных тонких пленок и множество низкоконцентрированных тонких пленок, располо...

Изобретение относится к нитридному полупроводниковому светоизлучающему устройству. Сущность изобретения: нитридное полупроводниковое устройство содержит слой нитридного полупроводника n-типа, слой нитридного полупроводника p-типа, активный слой, сформированный между слоями нитридного полупроводника n-типа и p-типа посредством поочередного наложения слоев с квантовыми ямами и квантовых барьерных с...