Быкова Светлана Викторовна (RU)

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe, где 0≤x≤1 из расплава под высоким давлением инертного газа. Способ осуществляют путем вытягивания тигля с расплавом в холодную зону со скоростью v, при этом сначала осуществляют перегрев расплава и его выдержку, после чего осуществляют рост кристаллов в тигле (1) с термодатчиками (8, 9), расположенными на дне...

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав. Способ включает выращивания легированных монокристаллов германия из расплава в тигле на кристаллографически ориентированную затравку диаметром, равным внутреннему диаметру тигля, в условиях теплового осевого потока вблизи...

Изобретение относится к гидротехническим сооружениям при возведении искусственных рифов в морских и пресноводных хозяйствах. Устройство содержит канатную систему и обрешетку для выращивания морских гидробионтов, удерживаемую под водой канатной системой, в котором канатная система включает якорные канаты и поплавковые канаты. Нижний конец каждого якорного каната закреплен на дне с помощью якорного...

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ. Легированные монокристаллы германия выращивают из расплава в тигле, размещенном на теплоотводящем блоке, на кристаллографически ориентирован...

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов Cd1-xZnxTe (CZT), где 0≤x≤1 из расплава. Кристаллы Cd1-xZnxTe выращивают под высоким давлением инертного газа, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ, с использованием фонового нагревателя и погруженного в расплав нагревателя - ОТФ-нагревателя, путем вытягивания тигля с расплавом в холодную зону со...

Изобретение относится к выращиванию из расплава на затравку монокристаллов Cd1-xZnxTe (CZT), где 0≤х≤1 ОТФ-методом. Способ выращивания кристаллов CZT осуществляют под высоким давлением инертного газа, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ, с использованием фонового нагревателя и погруженного в расплав нагревателя - ОТФ-нагревателя 6, путем вытягивания тигля...