Белоусов Виктор Сергеевич (RU)

Изобретение относится к области технологии получения монокристаллического кремния методом выращивания из расплава. Способ дозагрузки шихты при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского включает подачу шихты на поверхность расплава в тигле из контейнера с загруженной шихтой, в котором предусмотрена возможность дозированной подачи шихты на поверхность расплава через нижний торец, опу...

Изобретение относится к области солнечной энергетики, более конкретно - к области создания солнечных фотоэлектрических модулей с концентраторами солнечного излучения, и может быть применено в наземных солнечных энергоустановках, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах. Линейный концентратор светового излучения представляет собой протяженные фрагмент...

Изобретение может быть применено в наземных солнечных энергоустановках на основе линейных концентраторов солнечного излучения, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах. Предложенный концентраторный фотоэлектрический модуль представляет собой герметизируемый объем, содержащий линейные линзы Френеля, цепочку фотоприемников и полые трубки, соединяющие г...

Изобретение относится к области измерительной техники. Устройство для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводникового материла, состоящее из генератора сигналов, к выходу которого присоединена первая катушка, регистратора индуцированного сигнала, ко входу которого присоединена вторая катушка. При этом первая и вторая катушки размещены соосно, а перед катушками размещен объект...

Изобретение относится к области измерительной техники. В устройстве для измерения удельного сопротивления полупроводникового материала, состоящем из датчика, представляющего собой цилиндрический контейнер из немагнитного материала, внутри которого размещен объект измерений, а на наружной боковой поверхности которого размещены первая и вторая катушки, генератора сигнала, с выходом которого скоммут...

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Техническим результатом является увеличение производительности процесса...

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве солнечных батарей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Техническим результатом является снижение расхода проволоки и увеличение производительности процесса резки...

Изобретение области измерений электрофизических параметров солнечных элементов на основе применения устройств, позволяющих имитировать (симулировать) реальное солнечное излучение искусственными источниками света вместе с необходимой и встроенной в устройство электронной аппаратурой для обеспечения процесса измерений и определения параметров солнечных элементов с целью оценки их эксплуатационных х...

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках. Изобретение обеспечивает увеличение производительности метода измерения времени жизни нео...

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения, и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках. Изобретение обеспечивает повышение точности и увеличение производительности метода измер...

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов, и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов в кремниевых слитках перед разрезанием слитков на пластины. Способ включает облучение объекта в n-точках непрерывным зондирующим ИК-излучением L1 с длиной волны λ1≤5,0 мкм, регистрацию инт...

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые, помимо основной функции, могут быть дополнительно использованы в качестве элементов промышленного и строительного дизайна, подвергающихся упругой деформации в продольном и/или поперечном направлении. Заявленная конструкция фотоэлектрического гибкого модуля представляет собой последовате...

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые, помимо основной функции - генерации фототоэлектричества, могут использоваться в качестве элементов промышленного и строительного дизайна, подвергающихся упругой деформации в продольном и/или поперечном направлении - кручению или изгибу. Гибкий фотоэлектрический модуль представляет собой...

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые могут быть использованы в качестве источников электричества в системах энергообеспечения различных объектов - автомобилей, катеров, яхт, пунктов метеонаблюдения, телекоммуникационных систем, информационных стендов. Гибкий фотоэлектрический модуль включает последовательно расположенные ни...

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к неразрушающим методам контроля структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля качества эпитаксиальных слоев кремния в структурах «кремний на сапфире» (КНС). Изобретение обеспечивает высокую производительность изме...

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые могут быть использованы в качестве элементов промышленного и строительного дизайна, подвергающихся упругой деформации в продольном и/или поперечном направлении (кручение или изгиб, в качестве элементов электропитания дирижаблей, аэростатов, беспилотных летательных аппаратов и т.п. Задаче...

Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники и может быть использовано в электронной промышленности для создания электронных приборов и фотопреобразователей на основе полупроводниковых гетероструктур. В способе предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия операцию удаления с поверхности подложки слоя естественного окисла германия и операцию очистки...

Изобретение относится к области светотехники, в частности к устройствам освещения и сигнализации. Техническим результатом является повышение надежности устройства и расширение его функциональности, что достигается тем, что в автономном многофункциональном светотехническом устройстве, содержащем гибкую слоистую структуру, на которой размещены цепочки полупроводниковых солнечных элементов, источ...

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим панелям, которые могут быть использованы в качестве элементов энергетических установок сверхлегких беспилотных летательных аппаратов. Фотоэлектрическая гибкая панель представляет собой последовательно расположенные нижнюю несущую пленку, нижний армирующий слой, нижнюю скрепляющую пленку, электрически соеди...