PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Гаськов Александр Михайлович (RU)

Изобретатель Гаськов Александр Михайлович (RU) является автором следующих патентов:

Чувствительный элемент газового датчика

Чувствительный элемент газового датчика

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в измерительных устройствах для контроля окружающей среды, измерения концентраций и нахождения течей вредных газов, контроля герметичности изделий, содержащих вредные химические вещества, и в других устройствах, применяемых в метрологии, различных отраслях промышленности, в научных исследованиях. Чувствительный элемент газовог...

2343470

Газовый сенсор для индикации оксидов углерода и азота

Газовый сенсор для индикации оксидов углерода и азота

Изобретение может быть использовано при анализе воздуха на наличие в нем газообразных примесей, в частности оксидов азота и оксида углерода. Газовый сенсор для индикации оксидов углерода и азота включает выполненную из поликристаллического Al2O3 подложку, диоксид олова в составе чувствительного к газу материала, измерительные элементы, выполненные в виде платиновых электродов, размещенных на лице...

2464554

Способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования н2s и его производных

Способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования н2s и его производных

Изобретение относится к области нанотехнологии сенсорных материалов и может быть использовано для создания полупроводниковых газовых сенсоров, селективных к содержанию в воздухе сероводорода и его производных. Сущность изобретения состоит в создании наногетерогенного материала на основе нитевидных кристаллов оксидов n-типа проводимости SnO2, ZnO, In2О3 и иммобилизованных на их поверхности нанокл...

2537466

Способ определения легирующих добавок золота и кобальта в полупроводниковых материалах на основе диоксида олова

Способ определения легирующих добавок золота и кобальта в полупроводниковых материалах на основе диоксида олова

Изобретение относится к области химического анализа. Способ включает обработку образца полупроводникового материала раствором кислот HNO3 и HCl, взятых в объемном соотношении 1:3, и ультразвуком для перевода добавок из поверхности материала в раствор, отбор аликвоты раствора для последующего определения добавок на поверхности материала с последующими промывкой материала до удаления компонентов над...

2649136