Бражникова Тамара Ивановна (RU)
Изобретатель Бражникова Тамара Ивановна (RU) является автором следующих патентов:

Способ монтажа кремниевых кристаллов на покрытую золотом поверхность
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: в способе монтажа кремниевых кристаллов полупроводниковых приборов на покрытую золотом поверхность корпу...
2347297
Корпус полупроводникового прибора
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ- и СВЧ-транзисторов. Изобретение направлено на снижение теплового сопротивления и повышение надежности транзисторов большой мощности, а также повышение процента выхода при их производстве. Сущность изобретения: корпус полупроводникового прибора содержит керамическ...
2405229
Способ изготовления фланцев
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ и СВЧ транзисторов. Изобретение направлено на исключение прогиба фланцев, изготовленных из псевдосплава медь-молибден, которое возникает в процессе пайки корпусов высокотемпературным припоем, и обеспечение контакта всей площади фланцев с теплоотводом для повышения...
2436187
Корпус полупроводникового прибора
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для производства корпусов биполярных и полевых мощных многокристальных ВЧ- и СВЧ-транзисторов. Изобретение направлено на повышение надежности СВЧ-транзисторов в процессе их сборки и эксплуатации за счет снижения внутренних напряжений, возникающих в паяном шве между керамическим основанием и фланцем при пайке корпус...
2477544
Способ монтажа кремниевых кристаллов на покрытую золотом поверхность
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем. Предложен способ монтажа кремниевых кристаллов полупроводниковых приборов на покрытую золотом поверхность корпуса с нанесенн...
2570226