Кожевников Владимир Андреевич (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: в способе монтажа кремниевых кристаллов полупроводниковых приборов на покрытую золотом поверхность корпу...

Изобретение относится к средствам контрольно-измерительной и испытательной техники и предназначено для производства мощных полупроводниковых приборов с резьбовым креплением к теплоотводящему основанию. Прижимное устройство содержит полый корпус с наружной резьбой и стенкой со стороны основания, гайку в форме колпачка, пружину, цилиндрический стержень с дисковым упором, концы стержня проходят скво...

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ- и СВЧ-транзисторов. Изобретение направлено на снижение теплового сопротивления и повышение надежности транзисторов большой мощности, а также повышение процента выхода при их производстве. Сущность изобретения: корпус полупроводникового прибора содержит керамическ...

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-транзисторных структур, технология изготовления которых предусматривает использование плазменных обработок на этапе формирования металлизации приборов. Сущность изобретения: в способе восстановления порогового напряжения МДП-транзисторных структур наведенный пол...

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ и СВЧ транзисторов. Изобретение направлено на исключение прогиба фланцев, изготовленных из псевдосплава медь-молибден, которое возникает в процессе пайки корпусов высокотемпературным припоем, и обеспечение контакта всей площади фланцев с теплоотводом для повышения...

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для производства корпусов биполярных и полевых мощных многокристальных ВЧ- и СВЧ-транзисторов. Изобретение направлено на повышение надежности СВЧ-транзисторов в процессе их сборки и эксплуатации за счет снижения внутренних напряжений, возникающих в паяном шве между керамическим основанием и фланцем при пайке корпус...

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем. Предложен способ монтажа кремниевых кристаллов полупроводниковых приборов на покрытую золотом поверхность корпуса с нанесенн...