Неволин Владимир Николаевич (RU)
Изобретатель Неволин Владимир Николаевич (RU) является автором следующих патентов:
![Способ трехстадийной сушки окатышей на обжиговой конвейерной машине Способ трехстадийной сушки окатышей на обжиговой конвейерной машине](/img/empty.gif)
Способ трехстадийной сушки окатышей на обжиговой конвейерной машине
Изобретение относится к области подготовки железорудного сырья в черной металлургии, в частности к производству железорудных окатышей. Способ трехстадийной сушки включает первую стадию сушки с фильтрацией теплоносителя с температурой 250-400°С снизу вверх и две стадии сушки с фильтрацией теплоносителя сверху вниз. На первой стадии время сушки составляет 30-40% от общего времени сушки при с...
2350664![Способ получения антифрикционных тонких пленок Способ получения антифрикционных тонких пленок](https://img.patentdb.ru/i/200x200/767c1f94c52888b99e292242df65673c.jpg)
Способ получения антифрикционных тонких пленок
Изобретение относится к области технологии нанесения защитных антифрикционных покрытий, в частности к способу получения антифрикционных тонких пленок и может быть использовано в вакуумной, авиационной и космической технике, микромеханике, изготовлении металлорежущего и металлообрабатывающего инструмента. Осуществляют импульсное лазерное распыление мишени, выполненной из дихалькогенидов тугоплавк...
2365672![Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов (варианты) Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов (варианты)](/img/empty.gif)
Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов (варианты)
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов, в частности к способам управления напряжением срабатывания полевого КМОП транзистора. Техническим результатом изобретения является обеспечение управления напряжением переключения полевого транзистора n-типа и p-типа и уменьшения напряжения переключения полевого транзистора n-типа и p-типа с уве...
2393586![Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, и структура полевого кмоп транзистора Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, и структура полевого кмоп транзистора](https://img.patentdb.ru/i/200x200/bfcc1f4b0834417d992fae926c807fb0.jpg)
Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, и структура полевого кмоп транзистора
Изобретение относится к области микроэлектроники. Способ формирования полевого КМОП транзистора включает осаждение на полупроводниковой подложке слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости толщиной от 1-10 нм, на поверхность которого наносят промежуточный слой из сурьмы (Sb) толщиной 0.15-0.41 нм. Металлический затвор выполнен из силицида никеля (NiSi) толщиной от 300-3...
2393587![Способ ионной имплантации Способ ионной имплантации](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ea1f62fed40f9e98ff060b891d6084ae.jpg)
Способ ионной имплантации
Изобретение может быть использовано в электронике, в частности в технологии изготовления полупроводниковых приборов на карбиде кремния, а также в области модифицирования поверхности ионной имплантацией для получения износо- и коррозионно-стойких материалов. Способ ионной имплантации включает создание плазмы внутри рабочей камеры и подачу импульсного ускоряющего напряжения, согласно изобретению им...
2403646![Универсальный способ селективного извлечения солей переходных, редкоземельных и актиноидных элементов из многокомпонентных растворов с помощью нанопористых материалов Универсальный способ селективного извлечения солей переходных, редкоземельных и актиноидных элементов из многокомпонентных растворов с помощью нанопористых материалов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/a7fd20ba09b35178659bd47a9b372378.jpg)
Универсальный способ селективного извлечения солей переходных, редкоземельных и актиноидных элементов из многокомпонентных растворов с помощью нанопористых материалов
Группа изобретениий относится к области производства переходных, редкоземельных и актиноидных металлов и их солей. Способ включает селективное извлечение солей в объемах нанопор нанопористых электропроводящих материалов за счет эффекта электростатического взаимодействия дипольных моментов сольватированных ионных комплексов переходных, редкоземельных и актиноидных элементов с электрическим полем д...
2472863![Осветительный прибор Осветительный прибор](https://img.patentdb.ru/i/200x200/08d513d5cbb62da4f5250d71eae23a5e.jpg)
Осветительный прибор
Изобретение относится к осветительному прибору на основе светодиодных матриц. Осветительный прибор содержит полый корпус, выполненный в виде осесимметричного цилиндра из теплопроводящего материала, световод, выполненный в виде осесимметричного цилиндра из оптически прозрачного материала и размещенный внутри полого корпуса соосно с ним, и светодиодные матрицы. При этом один из торцов световода явля...
2656604