Сурма Алексей Маратович (RU)

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых диодов с улучшенной термостабильностью. Техническим результатом изобретения является получение положительной температурной характеристики прямого напряжения во всем требуемом интервале плотностей прямого тока. Сущность изобретения: в мощном кремниевом диоде с улуч...

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве силовых диодов, тиристоров, IGBT и других приборов полностью прижимной конструкции с уменьшенными и стабильными значениями падения напряжения во включенном состоянии (Von) и теплового сопротивления (Rth). Техническим результатом изобретения является уменьшение и стабильность значени...

Изобретение относится к конструкции силового полупроводникового прибора. Техническим результатом изобретения является повышение критической скорости нарастания тока при переключении прибора в случае перенапряжений. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности с двумя главными поверхностями, содержащий, по меньшей мере,...

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором на основе кремния. Техническим результатом изобретения является улучшение сочетания характеристик биполярного транзистора с изолированным затвором: пробивного напряжения коллектор-эмиттер в блокирующем состояни...

Изобретение относится к силовому полупроводниковому приборостроению и может использоваться при создании мощных полностью управляемых гибридных ключей. Техническим результатом изобретения является создание мощного гибридного ключа на силовом запираемом тиристоре с каскодным МОП-драйвером в одном таблеточном корпусе. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом приборе, содержащем силовой запи...

Изобретение относится к способам обработки давлением твердых материалов - металлов и полупроводников, в частности прокатке, штамповке, волочению и плющению. Способ включает механическую обработку давлением с одновременным приложением импульсного электрического поля для пластификации и снижения сопротивления материала деформированию, при этом к заготовке прикладывают короткие импульсы электрическо...

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления силовых диодов, динисторов и тиристоров, содержащих, по меньшей мере, один высоковольтный p-n-переход с прямой фаской. Техническим результатом изобретения является повышение напряжения лавинного пробоя p-n переходов с прямой фаской. Сущность изобретения: в способе изготовления высоковольтного силового...

Изобретение относится к области прямого преобразования энергии света в электроэнергию, к гелиоэнергетике, к возобновляемым источникам энергии. Вертикальный многопереходный фотопреобразователь состоит из кристаллов монокристаллического кремния с плоскими диффузионными p-n-переходами, расположенных стопой последовательно один над другим с образованием светоприемной поверхности с чередующимися р- и...