PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Волкова Наталья Сергеевна (RU)

Изобретатель Волкова Наталья Сергеевна (RU) является автором следующих патентов:

Способ коррекции эндотелиальной дисфункции джозамицином при l-name-индуцированном дефиците оксида азота

Способ коррекции эндотелиальной дисфункции джозамицином при l-name-индуцированном дефиците оксида азота

Изобретение относится к экспериментальной медицине, в частности к экспериментальной кардиофармакологии, и может быть использовано для коррекции эндотелиальной дисфункции. Для этого моделируют дисфункцию ежедневным в течение 7 сут внутрибрюшинным введением L-нитро-аргинин-метилового эфира крысам в дозе 25 мг/кг. На фоне этого вводят макролидный препарат джозамицин внутрижелудочно в дозах 10 и 30...

2353369

Способ коррекции эндотелиальной дисфункции мидекамицином при l-name-индуцированном дефиците оксида азота

Способ коррекции эндотелиальной дисфункции мидекамицином при l-name-индуцированном дефиците оксида азота

Изобретение относится к медицине, в частности к экспериментальной кардиофармакологии, и может быть использовано для коррекции эндотелиальной дисфункции в эксперименте. Для этого у лабораторных животных моделируют эндотелиальную дисфункцию ежедневным в течение 7 суток внутрибрюшинным введением L-нитроаргининметилового эфира в дозе 25 мг/кг. Затем животным внутрижелудочно вводят макролидный препар...

2353370

Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода

Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода

Использование: для определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках. Сущность изобретения заключается в том, что предлагаемый способ проводят в следующем порядке: измеряют спектры фоточувствительности в области поглощения квантовых точек диодных структур при различных температурах и/или напряжениях смещения на диодных структурах, по которым строят темпер...

2578051

Способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы gaas, связанных с встраиванием в неё слоя квантовых точек inas

Способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы gaas, связанных с встраиванием в неё слоя квантовых точек inas

Изобретение относится к технологии контроля качества полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками и может быть использовано для обнаружения глубоких дефектов, создаваемых слоем квантовых точек InAs в матрице GaAs. Технический результат изобретения - расширение технологических возможностей и повышение точности контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs в окрестности слоя квантовых точ...

2616876

Применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности кремниевой подложки и способ изготовления монокристаллической плёнки германия на кремниевой подложке, включающий указанное применение

Применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности кремниевой подложки и способ изготовления монокристаллической плёнки германия на кремниевой подложке, включающий указанное применение

Группа изобретений относится к технологии вакуумной эпитаксии германия или германия и кремния, включающей применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления естественно образовавшегося или сформированного защитного слоя диоксида кремния с рабочей поверхности химически очищенной кремниевой подложки на этапе - ее подготовительной вакуумной очистке перед вак...

2622092


Способ определения степени влияния дефектообразования на рекомбинационное время жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода

Способ определения степени влияния дефектообразования на рекомбинационное время жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода

Изобретение относится к технологии косвенного контроля степени влияния дефектообразования на рекомбинационное время жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода, повышающего эффективность изготовления приборов оптоэлектроники. Технический результат заявляемого изобретения - разработка эффективного косвенного способа определения изменения рекомбинационн...

2622228