Минтаиров Сергей Александрович (RU)

Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и нанесении антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность структуры. Раз...

Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, в частности к многопереходным солнечным фотоэлементам, которые преобразуют энергию солнечного излучения в электрическую, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии. Сущность изобретения: многослойный фотопреобразователь содержит последовательно расположенные сплош...

Способ получения многослойной структуры двухпереходного фотоэлектрического преобразователя, включающий последовательное осаждение из газовой фазы на подложку p-типа GaAs тыльного потенциального барьера из триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl), арсина (AsH3) и источника p-примеси, базы из TMGa и AsH3 и источника p-примеси, эмиттера из TMGa и AsH3 и источника n-примеси, широкозонного окна...

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы методом химического травления, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и...

Согласно изобретению каскадный фотопреобразователь содержит эпитаксиальную структуру, тыльный металлический контакт и лицевую металлическую контактную сетку, а так же антиотражающее покрытие, при этом эпитаксиальная структура включает последовательно выращиваемые методом MOC-гидридной эпитаксии на подложке p-Ge нуклеационный слой n-Ga0,51In0,49P толщиной 170÷180 нм, буферный слой Ga0,99In0,01As т...

Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей заключается в нанесении сплошного металлического омического контакта на тыльную поверхность структуры и локального металлического омического контакта на фронтальную поверхность многослойной полупроводниковой пластины со структурой n-Ge подложка, p-Al0,5GaAs и p-Al0,8GaAs эмиттер, p+-GaAs контактный слой, разделении структуры на чипы, па...

Способ изготовления солнечных элементов заключается в создании верхнего солнечного элемента на основе многослойной полупроводниковой пластины GaInP/Ga(In)As/Ge, частичного локального травления германиевой подложки с тыльной стороны, под светочувствительной областью полупроводниковой пластины, или полного стравливания германиевой подложки верхнего солнечного элемента и механической стыковки с нижн...

Способ получения чипов солнечных фотоэлементов относится к солнечной энергетике и может быть использован в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ заключается в нанесении омических контактов на фронтальную и тыльную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ получения чипов концентраторных солнечных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последователь...

Изобретение относится к устройствам преобразования световой энергии в электрическую и может быть использовано как в концентраторных фотоэлектрических модульных установках, так и в космических солнечных батареях. Сущность изобретения: многопереходный фотопреобразователь содержит полупроводниковую подложку и включает, по меньшей мере, два полупроводниковых p-n-перехода, состоящих, по меньшей мере,...

Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, в частности к концентраторным каскадным солнечным фотоэлементам, которые преобразуют концентрированное солнечное излучение в электроэнергию. Концентраторный каскадный фотопреобразователь содержит подложку (1) p-Ge, в которой создан нижний p-n переход (2), и последовательно выращенные на подложке нуклеационный слой (3) n-Ga0,51In0,4...

Многопереходный солнечный элемент содержит подложку p-Ge (1), в которой создан нижний p-n переход (2), и последовательно выращенные на подложке нуклеационный слой (3) n-Ga0,51In0,49P, буферный слой (4) n-Ga0,99In0,01As, нижний туннельный диод (5), средний p-n переход (6), содержащий слой тыльного потенциального барьера (7), базовый (9) и эмиттерный (11) слои, а также широкозонное окно (12), верх...

Способ формирования массивов квантовых точек повышенной плотности для использования в различных оптоэлектронных устройствах. Способ формирования массива квантовых точек высокой плотности включает три этапа. На первом происходит формирование зародышевого ряда квантовых точек в режиме субмонослойного осаждения, т.е. последовательного осаждения нескольких слоев напряженного материала, толщина каждо...

Полупроводниковая структура для фотопреобразующего и светоизлучающего устройств состоит из полупроводниковой подложки (1) с лицевой поверхностью, разориентированной от плоскости (100) на (0,5-10) градусов и, по меньшей мере, одного р-n перехода (2), включающего, по меньшей мере, один активный полупроводниковый слой (3), заключенный между двумя барьерными слоями (4) с шириной запрещенной зоны Eg0...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания солнечных элементов. Метаморфный фотопреобразователь включает подложку (1) из GaAs, метаморфный буферный слой (2) и по меньшей мере один фотоактивный p-n-переход (3), выполненный из InGaAs и включающий базовый слой (4) и эмиттерный слой (5), слой (6) широкозонного окна из In(AlxGa1-x)As, где x=0,2-0,5, и к...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из n-AlxGa1-xAs, широкозонный стоп-слой (6) из n-AlyGa1-yAs и контактный подслой (7) из p-GaAs. Толщина слоя (...