Кашкаров Павел Константинович (RU)

Изобретение относится к области квантовой электроники. Полупроводниковые кремниевые наноструктуры для лазеров и оптических усилителей формируют последовательным нанесением слоев окиси кремния и диоксида кремния на кремниевую подложку. Полученная структура проходит термический отжиг в атмосфере азота. В результате чего слои монооксида кремния трансформируются в слои нанокристаллов кремния, которы...

Изобретение относится к экспериментальной медицине и предназначено для стимуляции регенерации нервных тканей. Проводят восстановление электрической проводимости нервных тканей. Для этого на травмированном участке нервных тканей формируют локальную область из биосовместимой суспензии или взвеси кремниевых нанокластеров. Предлагаемый способ позволяет стимулировать регенерацию нервных тканей в эксп...

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для формирования активного слоя тонкопленочных солнечных элементов на основе гидрогенизированного кремния со стабильными параметрами относительно световых воздействий, в частности солнечного излучения. Сущность изобретения состоит в способе создания пленок аморфного гидрогенизированного кремния с небольшой долей кр...

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания переизлучающих текстурированных покрытий для использования в тонкопленочных солнечных элементах. Способ получения переизлучающих текстурированных тонких пленок на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния включает получение тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремни...

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания солнечных элементов, а также иных тонкопленочных электронных устройств на основе легированных бором пленок аморфного гидрогенизированного кремния. Техническим результатом является повышение эффективности легирования бором в аморфном гидрогенизированном кремнии и изменение типа проводимости аморфного гидр...

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления синаптического мемристора на основе нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид, который обладает адаптивными (нейроморфными) свойствами. Техническим результатом является создание мемристивных структур Cr/Cu/Cr/(Co40Fe40B20)x(LiNbO3-y)100-x/Cr/Cu/Cr с использованием нестехиометрических оксидов, способны...

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания дешевых и эффективных солнечных элементов на основе слоев аморфного гидрогенизированного кремния. Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний в образце, представляющем собой пленку аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенную на кварцевую подложк...