Зельцер Игорь Аркадьевич (RU)

Использование: для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев. Сущность: заключается в том, что устройство для исследования совершенства структуры кристаллических слоев содержит последовательно расположенные источник рентгеновского излучения, средства монохроматизации рентгеновского излучения и исследуемый кристалл со средствами поворота, энергоанализатор электронов и детектор...

Использование: для исследования совершенства структуры кристаллических слоев. Сущность: заключается в том, что устройство для исследования совершенства структуры кристаллических слоев содержит последовательно расположенные источник рентгеновского излучения, средства монохроматизации и коллимации рентгеновского излучения, исследуемый объект со средствами поворота, первый энергоанализатор, первый...

Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности его работы в разных режимах в течение длительного времени, упрощение технологии создания контакта, исключение влияния попадания посторонних...

Заявленное изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов. Особенностью данного способа является то, что после магнитного отжига производят заварку геркона с поддувом азота и после покрытия выводов геркон подвергают ионно-плазменной обработке в режиме многократного воздействия высоковоль...

Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов. Техническим результатом является создание необходимых свойств контактирующих поверхностей геркона, повышение стабильности его работы в разных режимах в течение длительного времени, упрощение технологии создан...

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов. Техническим результатом заявленного способа является улучшение качества годных герконов за счет повышения эрозионной стойкости контактных поверхностей. Технический результат достигается за счет того, что в процессе заварки или последующей и...

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам создания магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности его работы в разных режимах в течение длительного времени, упрощение технологии создания контакта, исключение влияния попадания постор...

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов. Особенностью предлагаемого способа изготовления является то, что до и после азотирования контакт-деталей геркона производят измерение напряжения пробоя геркона и контролируют толщину азотируемого слоя, определяемую по формуле: t=C(Uo-Ua)/Uo...

Изобретение относится к электротехнике, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов. Магнитоуправляемый контакт содержит стеклянный баллон, в торцах которого герметично заварены круглые выводы ферромагнитных контакт-деталей, свободные концы которых шириной "b" при толщине плющения "h" разделены зазор...

Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано при промышленном производстве этих приборов. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности работы магнитоуправляемого герметизированного контакта в течение длительного времени, удаление окислов металлов, упрощение технологии соз...

Изобретение относится к технике, связанной с процессами ионно-плазменного легирования полупроводников и может быть использовано в производстве солнечных элементов, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе кремния. Способ легирования кремния заключается в том, что пластину кремния обрабатывают в тлеющем разряде инертных газов, не являющихся легирующими примесями, в качестве и...

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов). Техническим результатом является ограничение объема массопереноса при каждом срабатывании и создание условий на поверхности покрытия, препятствующих локализации эрозии, стимулирующих переход ее к планарному типу. Техническ...

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов). Техническим результатом является повышение качества и ресурса работы за счет локализации азотируемых контактных площадок в области физического контакта при замыкании контакт-деталей геркона. Ионно-плазменную обработку проводят в у...