Домашевская Эвелина Павловна (RU)
Изобретатель Домашевская Эвелина Павловна (RU) является автором следующих патентов:
![Пьезогравиметрический сенсор концентрации толуола Пьезогравиметрический сенсор концентрации толуола](/img/empty.gif)
Пьезогравиметрический сенсор концентрации толуола
Изобретение может быть использовано при определении концентрации толуола в парогазовых смесях в химической, нефтехимической промышленности и других областях для экологического мониторинга. Сенсор включает кварцевый пьезорезонатор и электроды с пленочным газочувствительным покрытием, выполненым из фульвокислот, выделенных из гумуса, путем многократного повторения операций аэрозольного напыления в...
2376590![Способ селективного определения ацетона в воздухе Способ селективного определения ацетона в воздухе](https://img.patentdb.ru/i/200x200/afde729395fb8c5306c3870a9ec94a75.jpg)
Способ селективного определения ацетона в воздухе
Изобретение может быть использовано в медицинской диагностике, в химической промышленности, а также для экологического мониторинга для способа селективного определения концентрации ацетона в воздухе. Способ заключается в пропускании анализируемого воздуха через пьезогравиметрический сенсор с газочувствительным слоем на электродах кварцевого пьезорезонатора в виде пленки одного из пектинов: рябин...
2377551![Пьезогравиметрический сенсор концентрации газов Пьезогравиметрический сенсор концентрации газов](/img/empty.gif)
Пьезогравиметрический сенсор концентрации газов
Изобретение предназначено для определения концентрации газов, преимущественно аммиака, этанола, ацетона, и может быть использовано для медицинской диагностики, для экологического мониторинга в химической, нефтехимической, металлургической, холодильной, электронной, автомобильной и некоторых других отраслях промышленности. Сенсор согласно изобретению включает кварцевый пьезорезонатор и электроды...
2378643![Способ формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора Способ формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора](https://img.patentdb.ru/i/200x200/5673ade56f3df29f6333d6aa2ae5bc2a.jpg)
Способ формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и направлено на улучшение электрических характеристик высоковольтных приборов, снижение количества выхода из строя приборов в результате обрыва металла и пробоя по поверхности высоковольтных планарных р-п-переходов. Техническим результатом изобретения является формир...
2645920