PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Григорьев Александр Михайлович (RU)

Изобретатель Григорьев Александр Михайлович (RU) является автором следующих патентов:

Компактный твердотельный лазер с продольной полупроводниковой накачкой

Компактный твердотельный лазер с продольной полупроводниковой накачкой

Компактный твердотельный лазер с продольной накачкой включает оптический модуль, который содержит линейку диодов, корпус, в котором установлены резонатор с зеркалами, активный элемент, теплоотводящая рубашка и объектив накачки. Заднее зеркало резонатора выполнено в виде отдельного оптического элемента, активный элемент установлен в радиально симметричную теплоотводящую рубашку, закрепленную между...

2382458

Сканирующий лазер

Сканирующий лазер

Лазер включает два плоских зеркала, одно из которых полностью отражает, а другое частично пропускает лазерное излучение, две положительные линзы, поляризатор, активный элемент и пространственный модулятор света. Активный элемент расположен симметрично между линз, линзы установлены софокусно между зеркалами, отражающие поверхности зеркал совмещены с фокальными плоскостями линз. Лазер дополнительно...

2402125

Способ поверхностной лазерной обработки и устройство для его осуществления

Способ поверхностной лазерной обработки и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области лазерной обработки поверхности материалов для использования в машиностроении и приборостроении для очистки поверхности от нежелательных слоев и загрязнений, придания заданных свойств поверхности конструктивных материалов и касается способа поверхностной лазерной обработки и устройства для его осуществления. Воздействуют на обрабатываемую поверхность сканирующим пуч...

2445175

Способ обнаружения структурных дефектов в кристаллических материалах

Способ обнаружения структурных дефектов в кристаллических материалах

Изобретение относится к области дефектоскопии кристаллических материалов и может применяться для обнаружения структурных дефектов в кристаллических материалах, в том числе полупроводниковых. При реализации способа обнаружения структурных дефектов в кристаллических материалах из исследуемого кристаллического материала изготавливают образец. Далее освещают образец светом, состоящим из фотонов с энер...

2615351