PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Домантовский Александр Григорьевич (RU)

Изобретатель Домантовский Александр Григорьевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ формирования магнитного носителя с паттернированной структурой для цифровой записи

Способ формирования магнитного носителя с паттернированной структурой для цифровой записи

Изобретение относится к технике производства магнитных носителей информации. Способ позволяет в процессе перемагничивания носителя повысить амплитуду и уменьшить длительность электромагнитного импульса. Для этого в способе формирования магнитного носителя подложку носителя деформируют путем приложения к ней растягивающих усилий вдоль одной оси. После этого напыляют на нее слой немагнитного вещест...

2383944

Способ получения каталитического слоя топливного элемента

Способ получения каталитического слоя топливного элемента

Изобретение относится к способам изготовления каталитического слоя топливного элемента. Техническим результатом изобретения является упрощение технологии и уменьшение расхода платины. Согласно изобретению способ изготовления каталитического слоя топливного элемента включает напыление на поверхность основы катализатора исходной пленки оксида металла платиновой группы, облучение в вакууме пленки пу...

2414021

Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов

Способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов

Использование: для изготовления сверхпроводниковых датчиков излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления сверхпроводящих многосекционных оптических детекторов, включающий формирование отдельных секций из сверхпроводящих нанопроводов, образующих рисунок в виде меандра, и сверхпроводящих соединительных проводов для соединения секций через токоограничители с контактным...

2581405

Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе в одном технологическом процессе

Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе в одном технологическом процессе

Изобретение относится к области сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к способу создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе. Способ включает нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включая меандр, соединительные провода, контактные площадки и последующее преобразовани...

2645167