Климов Евгений Александрович (RU)

Изобретение относится к области молекулярной генетики и селекции крупного рогатого скота. Способ включает подготовку пробы нуклеиновой кислоты, проведение полимеразной цепной реакции с использованием двух внутренних аллельспецифичных праймеров и двух внешних праймеров. При этом внутренние праймеры характеризуются отсутствием в 3-й позиции с 3'-конца нуклеотида, негомологичного последовательностям...

Способ относится к области генной инженерии и биологии развития. Способ предусматривает трансплантацию зародышей, все клетки которых содержат дополнительную генетическую информацию, реципиентной самке. При этом введение дополнительной генетической информации в одноклеточный зародыш проводят в среде, содержащей 150 мМ NaCl, 2 мМ HEPES и нуклеиновую кислоту в концентрации 5 нг/мкл, путем создания д...

Изобретение относится к полупроводниковым метаморфным наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности дислокаций, проникших в активную область наногетероструктуры. Сущность изобретения: в полупроводниковой метаморфной...

Изобретение относится к полупроводниковым наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности дислокаций, проникающих в активную область наногетероструктуры. Сущность изобретения: в полупроводниковой метаморфной наногетеро...

Изобретение относится к области ветеринарии и предназначено для выявления вируса лейкоза крупного рогатого скота (ВЛКРС) с использованием полимеразной цепной реакции. В реакции используют олигонуклеотиды, обладающие последовательностью не менее 15 последовательных оснований внутри любой из последовательностей оснований локусов генома ВЛКРС, представленных SEQ ID NO с 1 по 11. Изобретение обеспеч...

Использование: для контроля технологии при изготовлении полупроводниковых метаморфных гетероструктур. Сущность изобретения заключается в том, что регистрируют кривые дифракционного отражения в режиме θ/2θ-сканирования от различных кристаллографических плоскостей, измеряют угловое положения пика от выбранной малой области эпитаксиального слоя с градиентом химического состава и вычисляют параметр...

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления монолитных интегральных схем, оперирующих в сантиметровом и миллиметровом диапазоне длин волн. Согласно изобретению предложена полупроводниковая транзисторная гетероструктура на подложке GaAs с модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs. Модифицированный стоп-слой AlxGa1-xAs выращивается с градиентом мольной доли...

Изобретение может быть использовано для создания активного слоя в фотопроводящих антеннах-детекторах и генераторах электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Материал для фотопроводящих антенн согласно изобретению представляет собой пленку GaAs, эпитаксиально выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А при пониженной температуре роста, легированную атомами крем...

Изобретение может быть использовано в приемных антеннах для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 4 ТГц). Cтруктура представляет собой полупроводниковую эпитаксиальную многослойную структуру, выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А, состоящую из чередующихся матричных слоев нелегированного GaAs, выращенных в низкотемпературном режиме, и функциональных слоев G...

Изобретение относится к области биохимии и молекулярно-генетической диагностики, в частности к способу выявления у субъекта предрасположенности к развитию панического расстройства. Настоящий способ включает совместное выявление комплексных генотипов в генах SLC6A4, HTR1A, CCKAR. Согласно указанному способу диагностическим признаком предрасположенности к развитию панического расстройства является н...

Использование: для создания материала фотопроводящих антенн. Сущность изобретения заключается в том, что материал содержит пленку LT-InGaAs, эпитаксиально выращенную при пониженной температуре на подложке InP, отличающийся тем, что используется подложка InP с кристаллографической ориентацией (n11)A, где n=1, 2, 3…; пленка LT-InGaAs легируется примесями с амфотерными свойствами (например, кремнием...