Корчагина Таисия Тарасовна (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе формирования содержащего нанокристаллы диэлектрического слоя на подложке изготавливают исходную диэлектрическую пленку, содержащую материал для формирования нанокристаллов, проводят лазерную обработку исходной диэлектр...