Быкова Светлана Сергеевна (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении диффузионных p-i-n диодов с большим уровнем управляемой мощности групповым методом. Сущность изобретения: в способе изготовления кристаллов p-i-n диодов групповым методом создают с одной стороны рабочей пластины кремния с собственным типом проводимости высоколегированный слой p-типа проводимости, уменьшают...