Хрусталев В.А.

  -Класс 49h, 1б Йвтооекое евидетедьетво иа изобретение. ОПИСАНИЕ Обжимки лй G6GYiM GJIHKGBblx HG U3HGHHK08.. Л . P д - К авторскому свидетельству В. А. Хрусталева, заявленному 16 февраля. 1930 года (заяв. свид. J4 64515). О выдаче авторского свидетельства опубликовано 31 июля 1931 года. Предмет изобретения. Предлагаемая обжимка выполнена в виде, шайбы с конусным отверстием, сте...

  Класс С 14b; 23Ь, 15 51767 Подписная группа М 180 IG. Д. Факгорович, Г. Л. Стольный, С. И. Бунин и В. А. Хрусталев ПРОХОДНАЯ МАШИНА ДЛЯ ШЛИФОВАНИЯ ЛИСТОВЫХ ЭЛАСТИЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ Заявлено 27 марта 1962 г. за № 770668/28-12 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 22 за 1962 r. Известна машина для шлифования ли...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем. Цель изобретения - повышение выхода годных интегральных схем за счет исключения дополнительного роста 1 пленок AITI и AITISI, а также увеличения стойкости к электромиграции и шипообразованию. Указанная цель достигается тем, что в интегральных схемах металлиза...

 Сущность изобретения: устройство возбуждения лазера содержит ВЧ - источники питания, задающий ВЧ - генератор, квадратурный делитель мощности, а также четыре реактивных двухполюсника. Вход задающего ВЧ - генератора через квадратурный делитель мощности подключен к входам ВЧ - источников питания, а их выходы - к проводникам резонатора в точках подключения реактивных двухполюсников, два реакт...

  Изобретение относится к техническим средствам обучения и может быть использовано для начального обучения, повышения квалификации и тренировки операторов систем управления технологическими процессами. Цель изобретения - расширение функций тренажера. Тренажер оператора систем управления технологическими процессами содержит пульты 5 и 6 обучаемого и преподавателя, модели 11 - 13 каналов рег...

  Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления термостабильных слабопроникающих контактов кремниевых интегральных микросхем. Сущность изобретения заключается в том, что на кремниевую подложку, маскированную диэлектриком со вскрытыми в нем контактными окнами к активным областям, наносятся пленка сплава, содержащего 20 - 50 ат.% Со и 80 -...

  Сущность изобретения: способ эксплуатации корпусного ядерного реактора заключается в уменьшении концентрации поглотителя нейтронов в активной зоне в соответствии с требуемым уровнем мощности в ходе выгорания топлива. Для этого изменяют среднюю температуру теплоносителя первого контура в зависимости от распределения энерговыделения, характеризуемого объемным коэффициентом неравномерности...

 Использование: в технике и технологии вакуумно-физического приборостроения в качестве технологического оборудования в производстве крупногабаритных ЭЛТ и кинескопов. Сущность изобретения: в устройстве для обработки экранов крупногабаритных ЭЛП электромагнитная колебательная система состоит из резонатора коаксиального типа, выполненного в виде усеченной четырехгранной пирамиды и колбы ЭЛП,...

 Изобретение относится к микроэлектронной промышленности, стремительное развитие которой требует резкого увеличения производства полуфабрикатов из алюминия особой чистоты (АОЧ) в виде распыляемых мишеней. Изобретение позволяет значительно снизить расход дорогостоящего и дефицитного материала, т. к. заявляемый способ обеспечивает возможность использования мишеней, в которых лишь рабочая рас...

 Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в металлургии в создании термостабилизированных профилей из алюминия особой чистоты. Целью изобретения является повышение эксплуатационных характеристик за счет стабилизации структуры. Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления мишени из алюминия особой чистоты, включающем штамповку, мишень охлаж...

 Использование: в способе очистки алюминия методом вакуумной выдержки и зонной перекристаллизации. Сущность изобретения: вакуумную выдержку проводят при температуре 680-1000oC в течение 6-54 ч с управляемым ступенчатым нагревом и охлаждением по 3-9 секциям нагревателей в автоматическом режиме со скоростью нагрева 0,1-5,0 oС/мин и охлаждением 0,08-0,8 oС/мин. Зонную перекристаллизацию прово...

 Изобретение относится к металлургии цветных металлов, а именно к получению сплавов на основе алюминия особой степени чистоты. Способ получения сплавов на основе особочистого алюминия включает ступенчатый нагрев слитка, вакуумную выдержку для сплавообразования при температуре 620-1100oC и давлении 1,010-4 - 1,010-6 мм рт. ст. в течение 3-54 ч с последующим охлаждением расплава. Нагрев и ох...

 Изобретение относится к устройствам СВЧ и может быть использовано для фильтрации высокочастотных колебаний большой мощности, что обеспечивает минимальный уровень внеполосного излучения радиопередающих устройств различного назначения. Полосно-пропускающий СВЧ-фильтр содержит трехдецибельный направленный ответвитель, две поглощающих нагрузки, два чебышевских режекторных фильтра, входы котор...

 Изобретение относится к вакуумной технологии и может быть использовано в производстве твердотельных, вакуумных и газоразрядных приборов, а также для накачки газоразрядных лазеров. Техническим результатом является уменьшение стоимости, уменьшение потребления электроэнергии, а также повышение КПД. Устройство для плазмохимической обработки электронных приборов содержит источник ВЧ энергии, п...

 Изобретение относится к вакуумной технологии и может быть использовано в производстве твердотельных, вакуумных и газоразрядных приборов, а также для накачки газоразрядных лазеров. Техническим результатом является возможность конвейеризации технологических процессов, уменьшение стоимости установки, уменьшение потребления электроэнергии, повышение КПД устройства, а также улучшение качества...

 Изобретение относится к частотно-избирательным цепям и может быть использовано для коммутации сигналов в широкополосных устройствах СВЧ. Выключатель выполнен на основе двух четвертьволновых трансформирующих шлейфов, расположенных на расстоянии четверти длины волны друг от друга и на концах которых включены полупроводниковые диоды. В режиме пропускания на полупроводниковые диоды подано пря...