ФЭН Байнянь (US)
Изобретатель ФЭН Байнянь (US) является автором следующих патентов:
![Ингибиторы iap Ингибиторы iap](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4e0c46e0b594eaa1b9acebd4652f28df.jpg)
Ингибиторы iap
Настоящее изобретение относится к новым ингибиторам IAP, которые могут использоваться в качестве терапевтических агентов для лечения злокачественных опухолей, где соединения имеют общую формулу I, в которой X, Y, A, R1, R2, R3, R4, R4', R5, R5', R6 и R6' имеют такие же значения, которые указаны в описании изобретения. 2 н. и 14 з.п. ф-лы.
2401840