PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Кагадей Валерий Алексеевич (RU)

Изобретатель Кагадей Валерий Алексеевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ пассивации поверхности gaas

Способ пассивации поверхности gaas

Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АIIIBV, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник. Изобретение по...

2402103

Способ халькогенизации поверхности gaas

Способ халькогенизации поверхности gaas

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник. Способ включает химическую очистку и халькогенизацию поверхности пластины GaAs в водном, спиртовом или другом халькогенсодержащем раствор...

2406182

Способ изготовления многослойного омического контакта к n-gaas

Способ изготовления многослойного омического контакта к n-gaas

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и направлено на уменьшение величины приведенного контактного сопротивления многослойных омических контактов Ge/Au/Ni/Ti/Au. Сущность изобретения: в способе изготовления многослойного омического контакта к n-GaAs, включаещем создание на поверхности пластины двухслойной фоторезистивной маски, послойное осаждение пленок на основе Ge и Au с толщинам...

2407104

Способ изготовления омического контакта к gaas на основе тонких пленок ge и cu

Способ изготовления омического контакта к gaas на основе тонких пленок ge и cu

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Изобретение обеспечивает уменьшение величины приведенного контактного сопротивления изготовленных омических контактов. Сущность изобретения: в способе изготовления омического контакта к GaAs на основе тонких пленок Ge и Cu, включающем соз...

2422941

Способ изготовления cu-ge омического контакта к gaas

Способ изготовления cu-ge омического контакта к gaas

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV, в частности к созданию омических контактов для областей стока и истока полевых транзисторов с барьером Шоттки, а также гетероструктурных транзисторов с высокой подвижностью электронов. Техническим результатом изобретения являет...

2436184


Транзистор на основе полупроводникового соединения

Транзистор на основе полупроводникового соединения

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является снижение себестоимости изготовления транзистора на основе полупроводникового соединения за счет перехода на металлизацию, не содержащую драгоценных металлов. Сущность изобретения: в транзисторе на основе полупроводникового соединения, выполненном из полупроводниковой пластины с канальным и контактным...

2442243

Способ получения тонкопленочного медно-германиевого соединения

Способ получения тонкопленочного медно-германиевого соединения

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения тонкопленочных металлических соединений. Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени получения тонкопленочного медно-германиевого соединения. Сущность изобретения: способ получения тонкопленочного медно-германиевого соединения включает последовательное осаждение слоев Ge и Cu на...

2458429

Способ изготовления омического контакта к gaas

Способ изготовления омического контакта к gaas

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины приведенного контактного сопротивления. Сущность изобретения: в способе изготовления омического контакта к GaAs на поверхности пластины n-GaAs, имеющей легированный слой, с целью реализации процесса обратной литографии формируют маску, для очистки поверхности в окнах маски пластин...

2458430

Транзистор на основе полупроводникового соединения и способ его изготовления

Транзистор на основе полупроводникового соединения и способ его изготовления

Изобретения относятся к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV, в частности к созданию транзистора на основе полупроводникового соединения, не содержащего драгоценных металлов и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение термостабильности параметров затвора, снижение величины...

2460172

Сверхвысокочастотный транзистор

Сверхвысокочастотный транзистор

Изобретение относится к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединении AIIIBV, в частности к созданию сверхвысокочастотных транзисторов, в которых минимизировано содержание драгоценных металлов. Изобретение обеспечивает повышение надежности работы за счет увеличения термической стабильности параметров устройства. Сверхвысокочастотный транзистор, выполнен...

2540234


Монолитная интегральная схема на основе полупроводникового соединения

Монолитная интегральная схема на основе полупроводникового соединения

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем (МИС) на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Изобретение обеспечивает получение МИС на основе полупроводниковых соединений AIIIBV с более низкой себестоимостью изготовления за счет использования металлизации, в которой минимизировано содержание драгоценных металлов, по технологии, сов...

2601203