PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Афанасьев Михаил Сергеевич (RU)

Изобретатель Афанасьев Михаил Сергеевич (RU) является автором следующих патентов:

Интегральный аттенюатор свч-сигнала

Интегральный аттенюатор свч-сигнала

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ электронике для аппаратуры наземного, воздушного и космического базирования; при создании фиксированных и аналоговых ослабителей мощности СВЧ сигналов, балансировки каналов электронной аппаратуры, согласования импендансов в межкаскадных СВЧ цепях, электронных антенных коммутаторов, автоматизированных компл...

2408114

Интегральный коммутатор свч-сигналов

Интегральный коммутатор свч-сигналов

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ-электронике для аппаратуры наземного, воздушного и космического базирования. Техническим результатом является увеличение развязки между каналами, быстродействие, снижение потерь и габаритов. Коммутатор содержит трехпроводную компланарную микрополосковую линию (МПЛ) толщиной от 10 нм до 100 нм, имеющую разр...

2421851

Многоспектральный фотоприемник

Многоспектральный фотоприемник

Фотоприемник содержит фотоприемники излучения ультрафиолета, инфракрасного и видимого диапазона. Фотоприемник выполнен на одном кристалле в виде оптически прозрачной мембраны. Мембрана представляет собой гетероструктуру, содержащую подложку с нанесенной на нее алмазной пленкой толщиной 250-500 нм. Алмазная пленка соединена через омические контакты с оптически прозрачной пленкой сегнетоэлектрика т...

2426144

Твердотельный датчик магнитного поля

Твердотельный датчик магнитного поля

Изобретение относится к области измерительной техники и твердотельной электроники и может быть использовано при создании миниатюрных датчиков магнитного поля для применения в магниточувствительных электронных микросистемах управления приводами, бесконтактных переключателях, дефектоскопии, при создании мобильных магнитолокаторов наземного воздушного и космического базирования и аппаратуры навигаци...

2478218

Гибридная фоточувствительная схема (гфс)

Гибридная фоточувствительная схема (гфс)

Гибридная фоточувствительная схема содержит: алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками. В состав МФП входят: верхний плоский электрод, на который подается напряжение смещения, алмазная пластина и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ, с которых снимается сигнал. Нижние электроды гальванически связаны через и...

2504043


Малогабаритный фазовращатель свч-диапазона

Малогабаритный фазовращатель свч-диапазона

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ-электронике для радиотехнической аппаратуры наземного, воздушного, космического базирования. Технический результат - снижение потерь мощности СВЧ-сигнала и увеличение верхнего диапазона частот. Малогабаритный фазовращатель СВЧ-диапазона, включающий расположенную на диэлектрическом материале микрополоскову...

2510551

Гибридная фоточувствительная схема (гфс)

Гибридная фоточувствительная схема (гфс)

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при создании многоспектральных и многоэлементных фотоприемников. Гибридная фоточувствительная схема содержит алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками, расположенными на нем в шахматном порядке в виде прямоугольной матрицы и по числу равны...

2519052

Способ получения монокристаллических алмазных эпитаксиальных пленок большой площади

Способ получения монокристаллических алмазных эпитаксиальных пленок большой площади

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке технологии алмазных электронных приборов увеличенной площади. Способ включает закрепление на подложке монокристаллических алмазных пластин с ориентацией поверхности (100) и последующее нанесение на пластины эпитаксиального алмазного слоя, при этом перед закреплением на подложке на каждой монокристаллической алма...

2577355

Способ изготовления углеродных пленок со структурой алмаза, легированных бором

Способ изготовления углеродных пленок со структурой алмаза, легированных бором

Изобретение относится к области технологии тонкопленочных материалов и может быть использовано при создании пассивных и активных элементов микро- и оптоэлектронных устройств. В способе изготовления углеродных пленок со структурой алмаза, легированных бором, осуществляемом методом химического осаждения углеродной пленки из газовой фазы на помещенной в реактор подложке, легирующее вещество бор в т...

2585311