Афанасьев Михаил Сергеевич (RU)
Изобретатель Афанасьев Михаил Сергеевич (RU) является автором следующих патентов:

Интегральный аттенюатор свч-сигнала
Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ электронике для аппаратуры наземного, воздушного и космического базирования; при создании фиксированных и аналоговых ослабителей мощности СВЧ сигналов, балансировки каналов электронной аппаратуры, согласования импендансов в межкаскадных СВЧ цепях, электронных антенных коммутаторов, автоматизированных компл...
2408114
Интегральный коммутатор свч-сигналов
Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ-электронике для аппаратуры наземного, воздушного и космического базирования. Техническим результатом является увеличение развязки между каналами, быстродействие, снижение потерь и габаритов. Коммутатор содержит трехпроводную компланарную микрополосковую линию (МПЛ) толщиной от 10 нм до 100 нм, имеющую разр...
2421851
Многоспектральный фотоприемник
Фотоприемник содержит фотоприемники излучения ультрафиолета, инфракрасного и видимого диапазона. Фотоприемник выполнен на одном кристалле в виде оптически прозрачной мембраны. Мембрана представляет собой гетероструктуру, содержащую подложку с нанесенной на нее алмазной пленкой толщиной 250-500 нм. Алмазная пленка соединена через омические контакты с оптически прозрачной пленкой сегнетоэлектрика т...
2426144
Твердотельный датчик магнитного поля
Изобретение относится к области измерительной техники и твердотельной электроники и может быть использовано при создании миниатюрных датчиков магнитного поля для применения в магниточувствительных электронных микросистемах управления приводами, бесконтактных переключателях, дефектоскопии, при создании мобильных магнитолокаторов наземного воздушного и космического базирования и аппаратуры навигаци...
2478218
Гибридная фоточувствительная схема (гфс)
Гибридная фоточувствительная схема содержит: алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками. В состав МФП входят: верхний плоский электрод, на который подается напряжение смещения, алмазная пластина и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ, с которых снимается сигнал. Нижние электроды гальванически связаны через и...
2504043
Малогабаритный фазовращатель свч-диапазона
Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ-электронике для радиотехнической аппаратуры наземного, воздушного, космического базирования. Технический результат - снижение потерь мощности СВЧ-сигнала и увеличение верхнего диапазона частот. Малогабаритный фазовращатель СВЧ-диапазона, включающий расположенную на диэлектрическом материале микрополоскову...
2510551
Гибридная фоточувствительная схема (гфс)
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при создании многоспектральных и многоэлементных фотоприемников. Гибридная фоточувствительная схема содержит алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками, расположенными на нем в шахматном порядке в виде прямоугольной матрицы и по числу равны...
2519052
Способ получения монокристаллических алмазных эпитаксиальных пленок большой площади
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке технологии алмазных электронных приборов увеличенной площади. Способ включает закрепление на подложке монокристаллических алмазных пластин с ориентацией поверхности (100) и последующее нанесение на пластины эпитаксиального алмазного слоя, при этом перед закреплением на подложке на каждой монокристаллической алма...
2577355
Способ изготовления углеродных пленок со структурой алмаза, легированных бором
Изобретение относится к области технологии тонкопленочных материалов и может быть использовано при создании пассивных и активных элементов микро- и оптоэлектронных устройств. В способе изготовления углеродных пленок со структурой алмаза, легированных бором, осуществляемом методом химического осаждения углеродной пленки из газовой фазы на помещенной в реактор подложке, легирующее вещество бор в т...
2585311