Басовский Андрей Андреевич (RU)

Изобретение относится к области изготовления дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении шунтирующих диодов для солнечных батарей космических аппаратов. Сущность изобретения: в способе изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов, включающем создание на рабочей стороне в эпитаксиальном слое кремниевой монокристаллической подложки...

Изобретение относится к системам энергоснабжения космических аппаратов. В состав бортовой системы электропитания входят аккумуляторная и солнечная (СБ) батареи, электрическая связь между которыми осуществляется через микромеханические блокирующие модули. Каждый такой модуль содержит подложку с расположенными на ней входной и выходной шинами с контактными группами. С этими группами взаимодействует...

Изобретение относится к области дискретных полупроводниковых приборов, в частности к блокирующим диодам для солнечных батарей космических аппаратов. Техническим результатом заявленного изобретения является создание бескорпусного блокирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов с высоким пробивным напряжением, низким прямым напряжением, устойчивого при термоциклировании в широком диа...

Изобретение относится к области изготовления дискретных полупроводниковых приборов. Способ изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов включает формирование структуры планарного диода на кремниевой монокристаллической подложке, формирование металлизации рабочей стороны кремниевой монокристаллической подложки, покрытие полученной структуры полностью фоточувствительн...

Изобретение относится к электротехнике, в частности к устройствам для генерирования электрической энергии путем преобразования светового излучения в электрическую энергию, и может быть использовано при создании и производстве малоразмерных космических аппаратов с солнечными батареями (СБ). Техническим результатом изобретения является: повышение стойкости СБ к термоударам, к воздействию механиче...

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности к технологии изготовления силовых полевых транзисторов с вертикально расположенным затвором. Техническим результатом изобретения является унификация маршрута изготовления путем использования методов самосовмещения и перекрестного совмещения в процессах фотолитографии, что приводит к уменьшению требований по точности оборудова...

Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов. Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов согласно изобретению включает формирование структуры планарного диода, проведение термических операций, металлизации лицевой и...