Гузев Александр Александрович (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А3В5. Сущность изобретения: структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений A3B5 содержит полупроводниковую подложку А3В5, расположенный на ее рабочей поверхности диэлектрический слой, являющийся анодным окислом, полученный анодированием подложки в...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - мозаичных фотоприемных модулей большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади. При сборке фотоприемные модули меньшей площади разбивают на группы. Располагают фотоприемные модули каждой группы в ряд, формируя параллельные ряды. Фотоприемные модули меньшей площади со схемой считывания, выполненной из одного мат...

Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при разработке технологического оборудования для изготовления гибридных микросхем большого формата, упрощения и удешевления такого оборудования. Заявленный соединительный пресс для матриц большого формата состоит из основания на котором помещена нижняя платформа для расположения на ней матриц большого формата, вер...