ЙООН Сеи Сеунг (US)

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента. Техническим результатом является уменьшение времени отклика (считывания/записи). Раскрыты системы, схемы и способы для определения напряжений считывания и записи для заданного транзистора числовой шины в магниторезистивной RAM с передачей спинового вращательного м...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении производительности чтения усилителя считывания MRAM. Запоминающее устройство, содержащее ячейку памяти, включающую в себя основанный на сопротивлении элемент памяти, соединенный с входным транзистором, причем входной транзистор имеет первую толщину оксида так, чтобы дать возможность работы ячейки памяти...