Корж И.А.

 Мишень для магнетронного распыления в вакууме, содержащая диск из распыляемого немагнитного материала с углублениями и концентричные полюсные наконечники, расположенные в углублениях, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности в работе за счет уменьшения деформации мишени при ее разогреве, углубления выполнены с нераспыляемой стороны диска, а полюсные наконечники выполнены из мат...

 Устройство для нанесения покрытий в вакууме, преимущественно диэлектрических материалов, содержащее катодный узел с магнитной системой и мишенью для распыления, анод с выступами и углублениями, увеличивающими площадь анода не менее чем в два раза, и подложкодержатель, установленный напротив мишени, отличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытий и производительности, в выступах...

 Использование: исследование параметров тонких диэлектрических пленок. Сущность изобретения: способ включает создание области оптического контакта между поверхностью волновода и элементом связи, измерение углового распределения интенсивности излучения, прошедшего через волновод, и вычисление по угловому распределению параметров волновода, при этом возбуждение волновода осуществляют путем п...

 Использование: в микроэлектронике для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках при изготовлении волноводов, микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.п. Сущность изобретения: способ включает нанесение на подложку металлической пленки и формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски. В качестве материала маски ис...

 Использование: в области оптоэлектроники, при конструировании и изготовлении тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Сущность изобретения: предлагается конструкция электролюминесцентного индикатора, в котором между алюминиевым электродом и дополнительной диэлектрической пленкой располагается слой иттрия толщиной 5 нм- 50 нм, что позволяет на 30-40% повысить электрическую прочнос...

 Использование: изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при производстве тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Сущность: изобретение направлено на устранение кристаллизации буферных диэлектрических пленок, расположенных между пленкой люминофора и диэлектрическими пленками - верхней и нижней при высокотемпературных обработках. В качестве буферны...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках при изготовлении волноводов, микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.п. Сущность изобретения: на подложку наносят диэлектрическую пленку, и формируют конфигурацию защитной маски, после чего проводят травление подложки. В качестве материала...

 Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано при производстве тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Сущность изобретения: в известном способе изготовления электролюминесцентного индикатора, имеющего сэндвич-структуру с люминофором, заключенным между двумя диэлектрическими слоями с использованием в качестве второго диэлектрического слоя чередующихся диэлект...

 Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано при производстве тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Сущность изобретения: изготавливают сэндвич-структуру с люминофором, заключенным между двумя диэлектрическими слоями. В качестве второго диэлектрического слоя осаждают ряд чередующихся диэлектрических слоев из разных материалов. Перед осаждением каждого из ч...

 Использование: исследование параметров тонких диэлектрических пленок. Сущность изобретения: способ включает создание области оптического контакта между поверхностью волновода и элементов связи, выполненного из двух или более оптически изолированных друг от друга соединенных между собой частей, вывод излучения из волновода, измерение углового распределения интенсивности излучения, прошедше...

 Изобретение относится к резисторам, а именно тонкопленочным терморезисторам. Терморезистор содержит изоляционную подложку, на одной стороне которой сформированы терморезистивная пленка и контакты. Подложка частично удалена под терморезистором, длина терморезистив ной пленки и длина подложки связаны между собой соотношением, учитывающим разность температурных коэффициентов и удлинения и ра...

 Изобретение относится к области акустоэлектроники и может быть использовано при изготовлении узкополосных и сверхузкополосных фильтров на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Технический результат - уменьшение ухода центральной частоты узкополосного фильтра на ПАВ при изменении температуры окружающей среды. Узкополосный фильтр на ПАВ, состоящий из пьезоэлектрической подложки со сформи...

 Изобретение относится к акустоэлектронике и может быть использовано при разработке и изготовлении узкополосных фильтров на поверхностных акустических волнах (ПАВ) с низким температурным коэффициентом частоты (ТКЧ). Технический результат - упрощение способа, позволяющего подстраивать в процессе работы центральную частоту узкополосного прибора на ПАВ без использования дополнительного источн...